热滞后是温度特性的上循环频率与下循环频率之间的差异，并以温度差异达到最大值时的差异值来量化。热滞后对于如TCXO和OCXO等高精度振荡器来说尤其重要，因为它会消耗整体频率稳定性预算的相当大的一部分。

热滞后的原因尚未完全理解，可能与谐振器安装结构的应变变化、封装内的污染物重新分布以及温度传感器与谐振器之间的热梯度有关。由于振荡器与温度传感器之间的热滞后可以忽略不计，并且由于晶圆级封装，谐振器上的污染物水平极低（以十亿分之几（ppb）计），因此SiTime TCXO在-40°C至105°C的温度范围内通常具有业内最低（最佳）的热滞后，通常为±15 ppb。