SiT3809压控晶振是在市场上灵活、兼容LVCMOS/ LVTTL的压控晶振(VCXO)。SiT3809压控晶振支持80-220MHz范围内的任意频率,牵引范围从±25ppm到±1600ppmm,封装形式从2520、3225,5032到7050,与石英压控OSC管脚兼容。
SiT3809压控晶振提供了低于1ps的抖动性能、以及在牵引范围及线性特性方面10倍优于传统石英VCXO的特性,从而简化PLL和时钟同步设计。可透过编程改变驱动能力协助工作人员降低EMI,卓越的斜率(Kv)一致性,能将导因系统PLL效能所造成的差异性达到极小。
SiT3809压控晶振与传统的石英器件封装和控制电压是100%兼容,因此可直接取代VCXO石英振荡器,无需做任何设计变更。
| 频率范围 | 80MHz - 220MHz之间任意频率,可精确到小数点后6位 | 
| 频率稳定性(ppm) | ±25,±50 | 
| 相位抖动(ps) | 0.5ps | 
| 输出类型 | LVCMOS | 
| 工作温度范围(℃) | -20 ~ +70,-40 ~ +85 | 
| 牵引范围(ppm) | ±25 ~ ±1600 | 
| 上升/下降时间(ns) | 可配置,降低EMI | 
| 工作电压(V) | 1.8,2.5,2.8,3.3 | 
| 封装尺寸(mm2) | 2.5x2.0,3.2x2.5,5.0x3.2,7.0x5.0 | 
| 特点 | 可编程制程,任意参数自由组合 | 
| 状态 | 量产 | 
		
	
		
	
		
	
			
		
SiT3809压控晶振具有<1%牵引线性
			
		
SiT3809压控晶振支持可配置驱动力强度
			
		
| ● FPGA数据恢复 | ● 网络音频系统 | ● 抖动清洁器 | ● 机顶盒(STB) | 
| ● 低带宽模拟锁相环(PLL) | ● 数字化仪表 | ● 低带宽模拟锁相环(PLL) | ● 无线基站 | 
| ● 电信设备 | 
2520、3225功能引脚
| 功能引脚示意图 | 脚位 |  | 功能 | 说明 | 
|  | 1 | VIN | Input | 0-Vdd: produces voltage dependent frequency change | 
| 2 | GND | Power | Electrical ground | |
| 3 | CLK | Power | Power supply voltage | |
| 4 | VDD | Input Power | Oscillator output power[7] | 
7. A capacitor value of 0.1 μF between VDD and GND is recommended.
		
	
5032、7050功能引脚
| 功能引脚示意图 | 脚位 |  | 功能 | 说明 | 
|  | 1 | VIN | Input | 0-Vdd: produces voltage dependent frequency change | 
| 2 | NC/OE/ST | No Connect | H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions | |
| Output Enable | 
						 H or Open[8]: specified frequency output
					 
						 L: output is high
					 | |||
| Standby | 
						 H or Open[8]: specified frequency output
					 
						 L: output is low (weak pull down)[9]. Oscillation stops
					 | |||
| 3 | GND | Power | Electrical ground | |
| 4 | CLK | Output | Oscillator output | |
| 5 | NC | No Connect | H or L or Open: No effect on output frequency or other device functions | |
| 6 | VDD | Power | Power supply voltage[10] | 
		
Notes:
8. In OE or ST mode, a pull-up resistor of 10 kΩ or less is recommended if pin 2 in the 6-pin package is not externally driven. If pin 2 needs to be left floating, use the NC option
9. Typical value of the weak pull-down impedance is 5 mΩ
10. A capacitor value of 0.1 μF between VDD and GND is recommended.
	
		
	
		
	
		
	
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