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深度解析MEMS硅晶振的七大技术优势
一、SiTime MEMS硅晶振降低电磁干扰
确保产品一次性通过EMI合规性测试，避免昂贵的重新测试、重新设计以及机械屏蔽的繁琐，是每个工程师的心愿。SiTime扩频振荡器，正是您实现这一目标的得力助手。扩频振荡器具备卓越的可编程性，能够将电磁干扰降低至低至30dBm的水平。您可以灵活地对扩频类型、振幅、调制技术、输出电压摆幅以及压摆率进行编程，从而获得最大的设计灵活性。
MEMS硅晶振解决方案在不牺牲性能的前提下，有效解决了EMI问题。它们确保产品符合严格的排放标准，无需进行成本高昂的重新测试、繁琐的重新设计或复杂的重新包装，从而显著加快产品上市时间，助力您更快实现收益。
凭借多种强大功能集成于一个小型晶振中，设计人员可以轻松、快速地实现EMI合规，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。
请查看我们的扩频振荡器
产品系列 | 扩展类型 和范围 | 调制类型 | 上升/下降时间（回转速率） | 输出类型 | 频率范围 | 封装尺寸 (mm) |
| Center: ±2% max | Triangular, Hershey-Kiss, Random | 8 options, | LVCMOS | 1 to 150 MHz | 2.0 x 1.6, 2.5 x 2.0, 3.2 x 2.5 |
Center: ±0.5% mx | Triangular | 4 options, | LVCMOS | 1 to 110 MHz | 5.0 x 3.2, 7.0 x 5.0 | |
Center: ±2% max | Triangular | 2 swing options | Differential | 1 to 220 MHz | 5.0 x 3.2, 7.0 x 5.0 |
二、SiTime MEMS在极端和快速变化的温度条件下准确可靠运行
在极端和快速变化的温度条件下，确保产品的准确性和可靠性是至关重要的。SiTime TCXO（温补振荡器）和OCXO（恒温振荡器）正是为此而生，为您提供卓越的解决方案。在当今的网络和关键应用中，任何故障都可能带来巨大的损失和代价。随着这些应用不断被推向边缘，它们在极端温度波动中所受到的保护越来越少。SiTime TCXO和OCXO正是为应对这些挑战而设计，旨在解决长期存在的定时问题。
与传统的石英产品不同，SiTime基于MEMS（微机电系统）的定时解决方案在极端温度条件下表现出色。我们的产品不仅能够在高达10°C/min的热冲击下保持稳定，还能在高达7米/秒的快速气流中维持卓越性能。这种高性能表现，确保了在最严苛的环境下也能实现可靠的计时功能。
SiTime Super-TCXO的工作温度范围为-40°C至+105°C，是目前所有TCXO中工作温度范围最广的产品。此外，我们的OCXO在动态稳定性方面表现出色，其稳定性为±40 ppt/°C，是石英OCXO的10倍。这意味着在极端温度变化下，SiTime的OCXO能够提供更精确、更稳定的时钟信号。
选择SiTime TCXO和OCXO，就是选择在极端环境下也能确保产品性能和可靠性的保障。我们的产品将助力您的应用在任何条件下都能稳定运行，从而在竞争激烈的市场中脱颖而出。
了解我们的高精度 MEMS 振荡器
产品类型 | 产品系列 | 频率稳定度 (ppm) | 频率斜率 典型值 (dF/dT) | 频率范围 | 温度范围 (°C) | 封装尺寸 (mm) |
Elite Super-TCXOs (Stratum 3) | ±0.5, ±1, ±2.5 | ±25 ppb/°C | 1 to 220 MHZ | -40 to +105 | 5.0x3.2 | |
Elite Super-TCXOs (Stratum 3) | ±0.1,±0.2, ±0.25, ±0.05 | ±1 ppb/°C | 1 to 220 MHz | -40 to +105 | 5.0 x 3.2 | |
Automotive Super-TCXOs | ±0.5, ±1, ±2.5 | ±1 ppb/°C | 1 to 60 MHz. | -40 to +105 | 5.0x3.2 | |
Automotive Super-TCXOs | ±0.1,±0.2, ±0.25 | ±1 ppb/°C | 1 to 220 MHZ | -40 to +105 | 5.0 x 3.2 | |
Ruggedized Super-TCXOs | ±0.5, ±1, ±2.5 | ±1 ppb/°C | 1 to 220 MHZ | -40 to +105 | 5.0 x3.2 | |
Ruggedized Super-TCXOs | ±0.1,±0.2, ±0.25
| ±1 ppb/°C | 1 to 220 MHZ | -40 to +105 | 5.0x3.2 | |
Elite X Super-TCXOs (Stratum3E) | ±0.01 (±10 ppb) | ±0.5 ppb/°C | 1 to 60 MHZ | -40 to +105 | 7.0x5.0 | |
Emerald OCXOs (Stratum 3E) | ±0.005 (±5 ppb) | ±40 ppt/°C | 1 to 60 MHZ | -40 to +85 | 9.0x7.0 |
在极端温度条件下性能更佳
三、SiTime MEMS硅晶振抗冲击和振动优势
随着世界的联系越来越紧密，电子系统正进入我们生活的各个角落--从我们口袋中的设备到汽车中的数十个传感器。但是，当电子设备出现在我们周围的各种环境中时，它们就不再受到严酷的机械冲击和振动的保护。对于 SiTime 基于 MEMS 的振荡器来说，这并不是一个问题，因为它本身就能抵御外部干扰。
了解我们的超稳健MEMS硅晶振解决方案
MEMS硅晶振解决方案 | 抗冲击抗振动性 | 优势特点 |
MHz 振荡器 | 高达 30,000g冲击 70g振动 | 1 至 725 MHz，LVCMOS XOs，差分 XOs，VCXOs，DCXOs，SSXOs |
精密 MHz 超级 TCXO | 30,000g 冲击 70g 振动 | Stratum 3/3E，1 至 220 MHz，+0.05 至 +2.5 ppm，+105°C，耐高温 |
汽车级振荡器 | 高达 30,000g 冲击 70g 振动 | AEC-Q100 超级 TCXOs、XOs、差分 XOs、SSXOs，+125°C |
32 KHz XOs/TCXOs 和 1 Hz 至 26 MHz XOS/TCXOS | 10,000g 冲击 70g 振动 | 超小型 1.2 mm2 芯片级封装 (CSP)，低功耗 |
可编程的OCXOs | 10,000g 冲击 20g 振动 | Stratum 3E，1 至 60 MHz，+5 至 +8 ppb，+85°c，耐高温 |
有源MEMS谐振器 | 高达 30,000g 冲击 70g 振动 | 1 至 725 MHz，晶体谐振器替代品，可靠性更高，+125°C |
抖动消除器 网络同步器 时钟发生器 | 30,000g 冲击 70g 振动 | 集成 MEMS 谐振器的片上时钟系统产品 |
MEMS硅晶振性能优于石英晶振
由于振荡器依赖于振动和机械共振，外部运动会耦合到产品中并降低其性能，从而产生频率偏移并增加石英振荡器的相位噪声。如果不采取特殊的纠正措施（如防震支架），基于 SiTime MEMS振荡器对加速度的敏感度很低。便携式设备中的随机或周期性机械振动对 SiTime MEMS硅晶振的影响很小，因为便携式设备或固定设备靠近振动机械或附近的冷却风扇会产生明显的振动。
SiTime MEMS振荡器本身不受冲击和振动的影响。MEMS 谐振器质量小（比石英晶体谐振器小 1000 到 3000 倍），其物理设计使其能够抵御外部运动。
更好的抗振性 更低的加速度（g）灵敏度
四、节省空间的MEMS硅晶振解决方案
在当今的电子设备设计中，要在有限的空间内实现更多功能，无疑是一项极具挑战性的任务。然而，SiTime的MEMS硅晶振解决方案正是您应对这一挑战的得力助手。SiTime的MEMS（微机电系统）谐振器，以其革命性的设计，为电子设备的小型化带来了突破性的进展。我们的MEMS谐振器质量仅为石英晶体谐振器的1/1000至1/3000，这一显著的轻量化优势，使得在相同空间内可以容纳更多的功能模块。
SiTime的MEMS硅晶振解决方案不仅在材料上进行了创新，更在设计上实现了高度集成。通过独特的集成功能，我们能够显著减少所需的元件数量。这意味着您可以在更小的PCB面积上实现更复杂的功能，从而为您的产品设计提供更大的灵活性和创新空间。
无论您是在设计下一代智能手机、可穿戴设备，还是其他对空间有严格要求的电子产品，SiTime的时序解决方案都能为您提供卓越的支持。我们的产品不仅能够帮助您实现小型化设计，还能确保高性能和高可靠性。
MEMS硅晶振解决方案 | 封装尺寸 | 主要特点 |
32 kHz XOs/TCXOs &
| 1.5 x 0.8 mm | l 无需外部负载电容器 l 驱动多个负载，取代多个晶体谐振器 |
差分振荡器 | 2.0 x1.6 mm | l 内部电压调节滤波器消除了外部专用 LDo l “集成终端电阻器无需外部源偏置电阻器” |
时钟发生器 抖动消除器 网络同步器 | 9.0 x 9.0 mm | 点赞 微信分享 链接分享  复制成功 热门视频 热门文章 sitimechina.com ©北京晶圆电子有限公司 版权所有 京ICP备13034140号-2 |
