本视频介绍SiTime的MEMS振荡器以其1.2 mm²微小尺寸，为业界提供了革命性的最小尺寸解决方案。相较于传统的石英晶振，MEMS振荡器占位面积显著减少了85%，功耗降低了50%，同时可靠性提升了15倍

本视频介绍SiTime的MEMS振荡器具备10,000G抗冲击与70G抗振动能力，性能提升30倍。为您的设计保驾护航，确保在各种复杂状况下始终稳定如一。

本视频介绍MEMS硅晶振凭借其卓越的性能如何让您的设计通过电磁干扰（EMI）合规性测试，并确保电子产品在复杂电磁环境中稳定运行并避免对其他设备造成干扰的关键环节。

本视频介绍SiTime的MEMS振荡器在噪声环境下比石英晶振更具有更优的抗电源噪声性能，电源感应抖动低至0.01ps/mV，无需专用的低压差线性稳压器（LDO），这不仅简化了电路设计，还有效降低了系统成本与功耗

本视频详细介绍了SiTime的MEMS振荡器具备卓越的准确性和精确度，频率稳定性显著提升，动态稳定性更是提高了10倍，无活动下降现象

本视频介绍气流与热量影响下的MEMS振荡器精度演示比较了SiTime Elite Platform™的MEMS Super-TCXO与石英TCXO。在最大时间误差上，石英晶振为1633ns，而SiTime Elite Platform™ Super-TCXO仅为82ns

本视频介绍SiTime正引领变革，凭借先进的MEMS硅晶振技术颠覆传统的石英晶振领域，开创行业转型的新纪元。

本视频介绍自古以来，文明的曙光初照之时，人类便已深刻认识到时间的珍贵。时间不仅决定着成败的关键，亦是日常生活中不可或缺的精准指南。探索晶振行业的演进之路，洞悉SiTime 硅技术如何突破界限，为未来的无限可能铺设道路。

本视频展示了在经历敲击测试时，SiTime MEMS硅晶振相较于石英晶振，在抗冲击性能和耐用性方面展现出的卓越优势。

本视频介绍SiTime MEMS振荡器如何替代石英晶振 (第二部分），突破传统设计局限，消除选型困扰。