物联网

日益智能化的系统和更加可靠的连接正在推动下一波物联网浪潮。采用连接技术的应用越来越多,需要精确的授时解决方案。

咨询解决方案
互联智能边缘的出现有赖于 MEMS 技术等基础创新。SiTime MEMS 硅晶振可在几乎任何工作条件下提供超稳定的性能,有助于确保物联网设备的可靠连接。此外,我们的硅晶振解决方案还有助于减小物联网设备的尺寸和功耗。采用更小的振荡器封装和集成功能,减少了元件数量,从而缩小了物联网产品的尺寸。MEMS 振荡器可以替代两到三个晶体器件,因为它们可以驱动多个负载。为了延长电池寿命,我们的产品以超低电流工作,稳定性更高,使物联网设备能够更长时间地处于睡眠模式。
行业特点
超强坚固
抗冲击、跌落、噪音等 高达 30,000 g 的抗冲击能力
电池寿命更长
超低功耗,低至 <1 μA 3 ppm 的稳定性最大限度地延长了睡眠时间
更小的 PCB 面积
微小的 1.2平方毫米CSP面积, 驱动多个负载
精选行业解决方案
智能手表/健身追踪器

功耗更低、占用空间更小、计时精度更高

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室内定位
稳定性更好,精度更高
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商业安防
更低的电磁干扰(EMI),更好的电源噪声抑制(PSNR)
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零售电子产品
驱动多个负载--体积更小、功耗更低
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智能家居
占用空间小,功耗低
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智能城市
更小的占用空间、更高的精度、更强大的功能
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智能农业
更小的占用空间、更高的精度、更强大的功能
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资产跟踪
即使在 GPS 信号受限的情况下也能稳健运行、精确定位
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精选行业主打产品
32.768 kHz 振荡器和 TCXO

超小面积、低功耗和更高稳定性的独特组合 •1.2 mm2(1.5 x 0.8 mm)的芯片级封装,占用空间小 • 超低功耗,低至 <1 μA • 与 LVCMOS 输出相比,NanoDrive™ 可编程输出摆幅最大限度地降低了功耗 • 频率稳定性高达 ±3 ppm

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精密超级 TCXO

卓越的动态性能,实现更好的连接性

• 1 MHz 至 220 MHz,±5 至 ±20 ppb

• 更好的动态稳定性,频率斜率为 ±0.3 ppb/°C (ΔF/ΔT)

• 40°C 至 +105°C 温度下工作

• 能适应快速的温度变化、气流和振动


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1 Hz 至 26 MHz 低功耗振荡器

专为空间和功耗要求严格的应用而设计

• 1.2 m㎡(1.5 x 0.8 mm)芯片级封装,占用空间小

• 超低功耗,低至 <1 μA

• 与 LVCMOS 输出相比,NanoDrive™ 可编程输出摆幅最大限度地降低了功耗

• 频率稳定性高达 ±5 ppm

• 低至 1 Hz 的灵活频率提供了新的架构选项 


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了解我们的技术
MEMS硅晶振性能优势

功能更多、性能更高、可靠性更强和成本更低成本的产品

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MEMS振荡器介绍

利用先进的半导体工艺制造而成,无任何石英晶体材料

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MEMS领域技术专长

功能更多、性能更高、可靠性更强和成本更低成本的产品

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MEMS谐振器概述

功能更多、性能更高、可靠性更强和成本更低成本的产品

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