随着智能系统不断升级与连接可靠性的大幅提升,物联网正迎来新一轮的飞跃。面对日益增多的应用采用连接技术,我们需要精准的时序解决方案来支撑其运行。
超小面积、低功耗和更高稳定性的独特组合 •1.2 mm2(1.5 x 0.8 mm)的芯片级封装,占用空间小 • 超低功耗,低至 <1 μA • 与 LVCMOS 输出相比,NanoDrive™ 可编程输出摆幅最大限度地降低了功耗 • 频率稳定性高达 ±3 ppm
卓越的动态性能,实现更好的连接性
• 1 MHz 至 220 MHz,±5 至 ±20 ppb
• 更好的动态稳定性,频率斜率为 ±0.3 ppb/°C (ΔF/ΔT)
• 40°C 至 +105°C 温度下工作
• 能适应快速的温度变化、气流和振动
专为空间和功耗要求严格的应用而设计
• 1.2 m㎡(1.5 x 0.8 mm)芯片级封装,占用空间小
• 超低功耗,低至 <1 μA
• 与 LVCMOS 输出相比,NanoDrive™ 可编程输出摆幅最大限度地降低了功耗
• 频率稳定性高达 ±5 ppm
• 低至 1 Hz 的灵活频率提供了新的架构选项
功能更多、性能更高、可靠性更强和成本更低成本的产品
利用先进的半导体工艺制造而成,无任何石英晶体材料
功能更多、性能更高、可靠性更强和成本更低成本的产品
功能更多、性能更高、可靠性更强和成本更低成本的产品
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