| Device | Datasheet | Frequency | Stability(PPM) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIT9025 |
1MHz -150 MHz |
±25 ±50 |
LVCMOS |
1.8, 2.5 to 3.3 |
-40 ~ 85 (Gr. 3) -40 ~ 105 (Gr. 2) -40 ~ 125 (Gr. 1) -55 ~ 125 (Ext. Cold Gr. 1) |
2.0x1.6 2.5x2.0, 3.2x2.5 |
SiTime可编程扩频晶振可确保用户产品满足相关辐射标准，加快产品营收。辐射不合规（产品辐射无法满足相关标准）常常发生在产品开发的最后阶段，造成不可预见的故障排除和昂贵的生产延迟。通过扩频时钟信号和调整信号的上升、下降沿，允许设计人员（通过现场编程的方式实时）降低辐射度。
| Device | Datasheet | Frequency | Stability(PPM) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiT9005 |
1MHz - 141 MHz |
±20 ±25 ±50 |
LVCMOS |
1.8, 2.5 to 3.3 |
-20 ~ +70 -40 ~ +85 |
2.0x1.6 2.5x2.0, 3.2x2.5 |
|
| SiT9003 |
1MHz - 110 MHz |
±50 ±100 |
LVCMOS |
1.8, 2.5, 2.8, 3.3 |
-20 ~ +70 -40 ~ +85 |
2.5x2.0x0.75 3.2x2.5x0.75 5.0x3.2x0.75 |
SiTime差分扩频晶振系列是单芯片解决方案，可替代扩频 IC 和外部晶体。差分扩频晶振包括可编程驱动强度功能，通过放慢时钟的上升和下降时间和改善时钟接收器 (RX) 下游抖动，将系统辐射电磁干扰 (EMI) 降低了 12 dB。这些特性保持全摆幅的同时驱动大容性负载。
| Device | Datasheet | Frequency | Stability(PPM) | Output Type | Supply Voltage(V) | Temp. Range(°C) | Package Size(mm2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SiT9002 |
1MHz - 220 MHz |
±25 ±50 |
CML/HCSL/LVDS/LVPECL |
1.8, 2.5, 3.3 |
-20 ~ +70 -40 ~ +85 |
5.0x3.2x0.75 7.0x5.0x0.9 |
400-888-2483
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