时钟发生器

Cascade Platform™ 时钟发生器旨在提供最高级别的时钟树集成,将多个时钟IC和振荡器整合到单个设备中。这些基于MEMS的时钟发生器集成了SiTime第三代ApexMEMS™ 消除了传统时钟所需的晶体基准。通过消除对石英时钟发生器的依赖,消除了所有与石英相关的问题。SiTime时钟发生器集成的MEMS方法提高了系统的鲁棒性–不会因与晶体电路的噪声耦合而导致抖动退化,始终能够在没有晶体电容失配的情况下进行精确的频率合成,抗振动能力提高10倍,并且始终能够在低温和其他恶劣环境条件下可靠启动。

MEMS时钟发生器

Cascade Platform™ 基于MEMS的时钟发生器具有4个独立的Frac-N PLL、4个输入、最多10个输出、从8 kHz到2.1 GHz的宽频率范围,以及9 x 9 mm封装中丰富的可编程功能。通过集成MEMS谐振器,时钟发生器使设计者能够创建芯片上的时钟系统,并消除与基于石英的传统时钟相关的所有质量和可靠性问题。


  • 通过消除晶体电容失配,始终实现精确的时钟合成
  • 即使在低温和其他恶劣环境条件下,也应始终可靠启动
  • 由于噪声耦合到晶体界面上,因此没有抖动退化
  • 石英固有的无活性下降/频率跳跃
  • 抗振动和板材弯曲能力提高10倍
  • 最多可减少50%的电路板空间


Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT91211
 1 ~ 700 MHz (differential) 
1 ~ 220 MHz (LVCMOS)
  
LVDS , LPHCSL 
 LVPECL , LVCMOS
   1.8 , 2.5 , 3.3
-40 ~ 85 
-40 ~ 105
4.0x4.0,24-pin QFN
SiT91213
 1 ~ 700 MHz (differential)
1 ~ 220 MHz (LVCMOS) 
 
LVDS , LPHCSL 
 LVPECL , LVCMOS
 1.8 , 2.5 , 3.3
-40 ~ 85 
-40 ~ 105
 4.0x4.0, 24-pin QFN
SiT95141
 8KHz ~ 2.1GHz
 
单端/差分
1.8V,2.5V,3.3V
-40 ~ +85 
9.0 x 9.0

MEMS时钟生成器

这些时钟发生器具备4个独立的四象限分数PLL、4个输入、最多12个输出、频率范围宽广(从200 kHz到2.1 GHz),并在小巧的QFN封装中提供一系列丰富的可编程功能。


  • 85 fs的低集成抖动最小化了误码率,并增加了设计裕量
  • 即使在冷温和其他恶劣的环境条件下,也能实现始终可靠的启动
  • 当与MEMS振荡器结合使用时,可以消除与石英晶振相关的问题,包括由于噪声耦合到晶体接口导致的抖动恶化、活动下降/频率跳变和振动敏感性等问题。




Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT95210
   0.5 Hz ~ 2.94912 GHz
   
LVPECL , CML , HCSL 
 LVDS , LVCMOS
   
  -40 ~ 85
7.0x7.0, 44-pin QFN
SiT95211
  0.5 Hz to 2.94912 GHz (Differential)
  
 LVPECL , CML , HCSL ,
LVDS , LVCMOS
  
 -40 ~ 85
 9.0x9.0, 64-pin QFN

MEMS实时时钟

SiTime的实时时钟(RTC)和日历设备支持双I2C总线,允许两个主设备(如CPU和BMC芯片)访问。RTC针对超低功耗进行了优化,并内置了电压电平检测电路,用于检测电源状态和电压水平。


  • 基于32.768 kHz的MEMS振荡器或石英晶振,提供年、月、日、星期几、小时、分钟和秒的信息
  • 支持夏令时模式、闰年补偿,以及可选的24小时制和12小时制
  • 具有自动电平检测和切换电路,当主电源断开时,会自动切换到备用电池电源(VBAT)并以极低电流继续运行。



Device Datasheet Frequency Stability(PPM) Output Type Supply Voltage(V) Temp. Range(°C) Package Size(mm2)
SiT95901
  32.768 kHz, 1.024 kHz, 
32 Hz, 1 Hz
  
 LVCMOS
  
  -40 ~ +85
 3.0x3.0, 12-pin DFN