高精度温补晶振TCXO选型 | SiT5155 | SiT5156 | SiT5356

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MEMS硅晶振产品

单端有源

1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位

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差分晶振

1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL

1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL

宽温晶振

1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动

1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动

压控晶振

1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm

1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm

扩频晶振

1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围

1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围

SiT6100DK

可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由

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软件下载

支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成

支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成

SiT8008

1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸

1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸

SiT8009

115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸

115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸

SiT1602

支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率

支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率

SiT8021

低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率

低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率

SiT2001

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率

SiT2002

SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

SiT8208

1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位

1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位

SiT8209

80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位

80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位

SiT9121

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式

SiT9122

220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式

220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式

SiT9120

支持25-221.5MHz之间常规频率，LVDS/LVPECL信号模式

支持25-221.5MHz之间常规频率，LVDS/LVPECL信号模式

SiT9102

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

SiT9366

1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

SiT9367

220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

SiT9365

支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

SiT9501

70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

SiT9375

200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

SiT8924

AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率

AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率

SiT8925

AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率

AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率

SiT2024

AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率

AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率

SiT2025

AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

SiT9386

1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL

1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL

SiT9387

-40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

-40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

SiT9396

-40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

-40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

SiT9397

-40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

-40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

SiT8920

1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失

1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失

SiT8921

119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装

119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装

SiT2020

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

SiT2021

SOT23-5封装，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

SOT23-5封装，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

SiT8918

标准通用封装，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动

标准通用封装，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动

SiT8919

标准通用封装，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化

标准通用封装，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化

SiT1618

标准通用封装，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率

标准通用封装，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率

SiT2018

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能

SiT2019

SOT23-5封装，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT

SOT23-5封装，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT

SiT3807

仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm

仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm

SiT3808

1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

SiT3809

80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

SiT3372

1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

SiT3373

220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

SiT3821

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm

SiT3822

220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm

220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm

SiT5155

支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS

支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS

SiT5156

1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

SiT5157

60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

SiT5356

1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

SiT5357

60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

SiT5501

1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

SiT5021

1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式

1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式

SiT5022

220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式

220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式

SiT5711

Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击

Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击

SiT5721

Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能

Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能

SiT1532

低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

SiT1533

低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm

低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm

SiT1630

低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5

低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5

SiT1552

高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

SiT1576

1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

SiT9005

1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选

1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选

SiT9003

1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选

1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选

SiT9002

1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式

1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式

SiT95147

低抖动，8路输出MEMS网络同步器

低抖动，8路输出MEMS网络同步器

SiT95148

低抖动，11路输出MEMS网络同步器

低抖动，11路输出MEMS网络同步器

SiT95145

低抖动，10路输出MEMS抖动清除器

低抖动，10路输出MEMS抖动清除器

SiT95141

低抖动，10路输出MEMS时钟发生器

低抖动，10路输出MEMS时钟发生器

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±0.5ppm抗冲击温补晶振

Elite Platform™ Super-TCXO抗冲击温补晶振具有多种频率稳定性（±0.5 ppm至±2.5 ppm），1至220 MHz任意频率，以及出色的动态性能和丰富的功能。SiTime的抗冲击温补晶振解决了电信，网络，精密GNSS和北斗导航通讯定位系统中根深蒂固的时序问题。SiTime抗冲击TCXO温补晶振通过将抗振动和低相位噪声与陶瓷封装相结合，替代新兴的5G和IEEE 1588同步应用中的传统石英温补晶振TCXO，同时降低功耗和尺寸。

动态稳定性优于石英（约为1ppb/°C的ΔF/ΔT），抗气流和热冲击
-40 °C到105 °C的工作温度范围，适用于无风扇的户外设备
I2C数字频率调谐功能，无需外部DAC，同时减小对电路板噪声的敏感度
片上电源噪声过滤，无需专用的LDO
无主动突降或微跳问题

Device	Frequency	Stability(PPM)	Output Type	Supply Voltage(V)	Temp. Range(°C)	Package Size(mm²)
SiT5155	10MHz - 40MHz	±0.5 ±1 ±2.5	LVCMOS/Clipped Sinewave	2.5, 2.8, 3.0, 3.3	-20 ~ +70 -40 ~ +85 -40 ~ +105	5.0 x 3.2
SiT5156	1MHz - 60MHZ	±0.5 ±1 ±2.5	LVCMOS/Clipped Sinewave	2.5, 2.8, 3.0, 3.3	-20 ~ +70 -40 ~ +85 -40 ~ +105	5.0 x 3.2
SiT5157	60MHz - 220MHZ	±0.5 ±1 ±2.5	LVCMOS/Clipped Sinewave	2.5, 2.8, 3.0, 3.3	-20 ~ +70 -40 ~ +85 -40 ~ +105	5.0 x 3.2

Device

Datasheet

Frequency

Stability(PPM)

Output Type

Supply Voltage(V)

Temp. Range(°C)

Package Size(mm²)

SiT5155

 10MHz - 40MHz

 ±0.5
±1
±2.5

LVCMOS/Clipped
Sinewave

2.5, 2.8, 3.0, 3.3

-20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105

 5.0 x 3.2

SiT5156

  1MHz - 60MHZ

 ±0.5
±1
±2.5

LVCMOS/Clipped
Sinewave

 2.5, 2.8, 3.0, 3.3

 -20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105

 5.0 x 3.2

SiT5157

  60MHz - 220MHZ

±0.5
±1
±2.5

LVCMOS/Clipped
Sinewave

 2.5, 2.8, 3.0, 3.3

-20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105

 5.0 x 3.2

±0.1ppm高精度温补晶振

SiTime 的 Elite Platform™ Super-TCXO 采用DualMEMS ™架构设计，结合了三个关键元素：TempFlat MEMS™ 谐振器、MEMS 温度传感器和高度集成的混合信号 IC。SiTime高精度温补晶振内部架构结合了世界上最灵敏的温度传感器、专有温度补偿方案 (TurboCompensation™) 和低噪声频率合成器。SiTime的Elite高精度温补晶振计时解决方案提供了 30 倍的动态性能、10 倍的动态稳定性和 20 倍的抗振性（g灵敏度），可在存在常见环境危害（例如气流、温度扰动、振动、冲击、电源噪声和电磁干扰（EMI）时提供卓越的动态性能).
Elite高精度温补晶振可提供出色的动态稳定性、超低抖动、宽频率范围和可编程性，支持 1 至 220 MHz 之间的任何频率。

在环境温度和气流快速变化的情况下保持频率稳定性：
• 全温度范围的工作频率稳定性±100ppb；
• 10秒平均时间的艾伦偏差（ADEV）3e-11；
• 在每分钟10℃的超快温度时间变化率下，频率温度变化率 1 ppb/℃
没有类似石英晶振的寄生模式频率扰动和微跳变；
拥有0.1 ppb/g超低振动敏感度；
拥有0.2 ps/mv电源噪声抑制（PSNR）；
可选I2C频率编程调谐功能，无需外部DAC；

Device	Frequency	Stability(PPM)	Output Type	Supply Voltage(V)	Temp. Range(°C)	Package Size(mm²)
SiT5356	1MHz - 60MHz	±0.1 ±0.2 ±0.25	LVCMOS/Clipped Sinewave	2.5, 2.8, 3.0, 3.3	-20 ~ +70 -40 ~ +85 -40 ~ +105	5.0 x 3.2
SiT5357	60MHz - 220MHz	±0.1 ±0.2 ±0.25	LVCMOS/Clipped Sinewave	2.5, 2.8, 3.0, 3.3	-20 ~ +70 -40 ~ +85 -40 ~ +105	5.0 x 3.2
SiT5501	1MHz - 60MHz	±0.01 ±0.02	LVCMOS/Clipped Sinewave	2.5, 2.8, 3.0, 3.3	40 ~ +85 -40 ~ +105	7.0 x 5.0

Device

Datasheet

Frequency

Stability(PPM)

Output Type

Supply Voltage(V)

Temp. Range(°C)

Package Size(mm²)

SiT5356

 1MHz - 60MHz

±0.1
±0.2
±0.25

LVCMOS/Clipped
Sinewave

2.5, 2.8, 3.0, 3.3

-20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105

 5.0 x 3.2

SiT5357

 60MHz - 220MHz

±0.1
±0.2
±0.25

LVCMOS/Clipped
Sinewave

2.5, 2.8, 3.0, 3.3

-20 ~ +70
-40 ~ +85
-40 ~ +105

5.0 x 3.2

SiT5501

  1MHz - 60MHz

±0.01
±0.02

LVCMOS/Clipped
Sinewave

2.5, 2.8, 3.0, 3.3

40 ~ +85
-40 ~ +105

7.0 x 5.0

Device	Datasheet	Frequency	Stability(PPM)	Output Type	Supply Voltage(V)	Temp. Range(°C)	Package Size(mm²)
SiT5021		1MHz - 220 MHz	±5	LVPECL LVDS	2.5,3.3 2.25 - 3.63	-20 ～ +70 -40 ～ +85	3.2x2.5 5.0x3.2,7.0x5.0
SiT5022		220MHz - 625 MHz	±5	LVPECL LVDS	2.5,3.3 2.25 - 3.63	-20 - +70 -40 - +85	3.2x2.5 5.0x3.2,7.0x5.0

单端有源

差分晶振

宽温晶振

压控晶振

扩频晶振

SiT6100DK

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SiT8008

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SiT1602

SiT8021

SiT2001

SiT2002

SiT8208

SiT8209

SiT9121

SiT9122

SiT9120

SiT9102

SiT9366

SiT9367

SiT9365

SiT9501

SiT9375

SiT8924

SiT8925

SiT2024

SiT2025

SiT9386

SiT9387

SiT9396

SiT9397

SiT8920

SiT8921

SiT2020

SiT2021

SiT8918

SiT8919

SiT1618

SiT2018

SiT2019

SiT3807

SiT3808

SiT3809

SiT3372

SiT3373

SiT3821

SiT3822

SiT5155

SiT5156

SiT5157

SiT5356

SiT5357

SiT5501

SiT5021

SiT5022

SiT5711

SiT5721

SiT1532

SiT1533

SiT1630

SiT1552

SiT1576

SiT9005

SiT9003

SiT9002

SiT95147

SiT95148

SiT95145

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高精度温补晶振TCXO

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