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可编程晶振空白片差分晶振汽车级晶振温补晶振恒温晶振 fs级低抖动特价申请

MEMS硅晶振产品

可编程晶振空白片FP

FP空白片

单端有源

单端有源

1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位

1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位

差分晶振

差分晶振

1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL

1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL

宽温晶振

宽温晶振

1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动

1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动

压控晶振

压控晶振

1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm

1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm

扩频晶振

扩频晶振

1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围

1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围

便携式编程器

SiT6100DK

SiT6100DK

可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由

可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由

编程软件

软件下载

软件下载

支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成

支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成

MHz有源晶振

低功耗

SiT8008

SiT8008

1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸

1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸

SiT8009

SiT8009

115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸

115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸

SiT1602

SiT1602

支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率

支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率

SiT8021

SiT8021

低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率

低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率

SiT2001

SiT2001

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率

SiT2002

SiT2002

SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

低抖动

SiT8208

SiT8208

1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位

1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位

SiT8209

SiT8209

80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位

80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位

差分晶振

FPGA参考设计推荐

SiT9121

SiT9121

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式

SiT9122

SiT9122

220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式

220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式

SiT9120

SiT9120

支持25-221.5MHz之间常规频率，LVDS/LVPECL信号模式

支持25-221.5MHz之间常规频率，LVDS/LVPECL信号模式

SiT9102

SiT9102

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

低抖动0.3ps

SiT9366

SiT9366

1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

SiT9367

SiT9367

220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

SiT9365

SiT9365

支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

fs级低抖动

SiT9501

SiT9501

70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

SiT9375

SiT9375

200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

汽车级晶振

单端

SiT8924

SiT8924

AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率

AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率

SiT8925

SiT8925

AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率

AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率

SiT2024

SiT2024

AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率

AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率

SiT2025

SiT2025

AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

差分

SiT9386

SiT9386

1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL

1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL

SiT9387

SiT9387

-40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

-40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

SiT9396

SiT9396

-40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

-40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

SiT9397

SiT9397

-40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

-40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

抗冲击宽温晶振

-55℃~+125℃

SiT8920

SiT8920

1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失

1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失

SiT8921

SiT8921

119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装

119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装

SiT2020

SiT2020

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

SiT2021

SiT2021

SOT23-5封装，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

SOT23-5封装，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

-40℃~+125℃

SiT8918

SiT8918

标准通用封装，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动

标准通用封装，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动

SiT8919

SiT8919

标准通用封装，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化

标准通用封装，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化

SiT1618

SiT1618

标准通用封装，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率

标准通用封装，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率

SiT2018

SiT2018

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能

SiT2019

SiT2019

SOT23-5封装，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT

SOT23-5封装，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT

压控晶振VCXO

单端

SiT3807

SiT3807

仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm

仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm

SiT3808

SiT3808

1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

SiT3809

SiT3809

80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

0.23ps低抖动差分

SiT3372

SiT3372

1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

SiT3373

SiT3373

220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

低成本差分

SiT3821

SiT3821

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm

SiT3822

SiT3822

220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm

220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm

高精度温补晶振TCXO

±0.5ppm~2.5ppm

SiT5155

SiT5155

支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS

支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS

SiT5156

SiT5156

1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

SiT5157

SiT5157

60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

±0.1ppm~0.25ppm

SiT5356

SiT5356

1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

SiT5357

SiT5357

60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

SiT5501

SiT5501

1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

±5ppm温补差分

SiT5021

SiT5021

1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式

1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式

SiT5022

SiT5022

220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式

220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式

恒温晶振OCXO

±5ppb OCXO

SiT5711

SiT5711

Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击

Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击

±5ppb DCOCXO

SiT5721

SiT5721

Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能

Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能

低功耗小尺寸KHz

低功耗

SiT1532

SiT1532

低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

SiT1533

SiT1533

低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm

低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm

SiT1630

SiT1630

低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5

低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5

高精度

SiT1552

SiT1552

高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

SiT1576

SiT1576

1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

扩频晶振SSXO

单端

SiT9005

SiT9005

1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选

1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选

SiT9003

SiT9003

1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选

1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选

差分

SiT9002

SiT9002

1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式

1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式

网络同步/去抖时钟

高精度网络同步时钟

SiT95147

SiT95147

低抖动，8路输出MEMS网络同步器

低抖动，8路输出MEMS网络同步器

SiT95148

SiT95148

低抖动，11路输出MEMS网络同步器

低抖动，11路输出MEMS网络同步器

去抖时钟

SiT95145

SiT95145

低抖动，10路输出MEMS抖动清除器

低抖动，10路输出MEMS抖动清除器

时钟发生器

MEMS时钟发生器

SiT95141

SiT95141

低抖动，10路输出MEMS时钟发生器

低抖动，10路输出MEMS时钟发生器

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关于我们 / 新闻中心 / ±0.1ppm高精度温补振荡器SiT7910如何在恶劣环境中提供出色性能

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±0.1ppm高精度温补振荡器SiT7910如何在恶劣环境中提供出色性能

2021-07-23 11:16:50 6 0 0

SiTime宣布，航空航天和国防公司 Raytheon Technologies 选择 SiTime Endura™ MEMS硅晶振作为其精密制导系统。高精度温补振荡器SiT7910可为在恶劣环境中运行的航空航天和国防应用提供精确的计时、高性能和可靠性。

SiT7910先进的精密制导系统在极端温度下运行，并暴露在高水平的重力、冲击和振动中。SiTime独特的MEMS硅晶振技术为在极端机械压力下运行的计时设备提供无与伦比的可靠性。SiT7910在恶劣条件下提供极其稳定的定时源，使系统性能更好。

MEMS硅晶振在存在极端温度、冲击和振动的情况下提供出色的性能 - 加速灵敏度提高 50 倍，机械冲击弹性提高 20 倍，动态性能 (dF/dT) 提高 10 倍。还符合 MIL-PRF-55310 和 MIL-STD-883 规范，并且可编程以满足精确的应用需求，所有这些都在小尺寸内。

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