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MEMS硅晶振产品
汽车级晶振
单端
差分
SiT9386
1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
SiT9386
1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
SiT9387
-40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9387
-40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9396
-40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9396
-40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9397
-40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9397
-40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
压控晶振VCXO
单端
0.23ps低抖动差分
SiT3372
1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
SiT3372
1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
SiT3373
220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
SiT3373
220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围低成本差分
高精度温补晶振TCXO
±0.5ppm~2.5ppm
±0.1ppm~0.25ppm
SiT5501
1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5501
1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选±5ppm温补差分
SiTime展示用于5G的高精度温补振荡器TCXO
2018-09-17 23:52:00
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基于Elite Platform™的精密振荡器为小型蜂窝，同步以太网和时间同步设定了动态性能，环境抗扰度和可靠性的新基准。利用SiTime革命性的DualMEMS™无噪声温度传感和TurboCompensation™架构，这些器件可在存在常见环境危害时提供最稳定的时序 - 气流，温度扰动，振动，冲击，电源噪声和电磁干扰（EMI）。
预计5G将以更高的带宽和更低的延迟转换连接。在网络密集化和基础设施升级之后提供的这些功能有望实现一系列新服务，如网络切片和虚拟化，无处不在的宽带，更快的机器到机器连接以及自动驾驶辅助系统（ADAS）。
在以更高速度传输的密集5G网络中，无线电到无线电时间精度必须在65纳秒内 - 比4G好20倍。 SiTime的基于MEMS的定时产品通过确保在最恶劣的环境中实现同步，例如在存在诸如冲击，振动，快速温度变化和极端温度的干扰器的情况下，实现了这一关键要求。这些产品实现了这一目标，同时提供了20倍的可靠性和五分之一的功率。
SiTime将展示Elite系列Super-TCXO，包括：
演示突出了Elite系列的坚固性 - 实现5G致密化并在恶劣的操作条件下运行，包括快速气流，快速温度瞬变和振动。
采用DualMEMS技术的SiTime振荡器的动态性能将与并列测试中同类最佳石英精密振荡器的性能进行比较。
专利架构，具有DualMEMS，无噪声温度传感和TurboCompensation。
Elite Super-TCXO在气流下提供高动态稳定性，快速温度斜坡：±100 ppb的超温稳定性; 3e-11 ADEV在10秒平均时间，±1 ppb /°C频率斜率（ΔF/ΔT），10°C / min斜坡。 TCXO具有片上稳压器，无需外部LDO，I2C调频无需外部DAC。 TCXO涵盖1 MHz至220 MHz的任何频率，在所有条件下均具有0.1％的频率调谐线性度。
其他主要规格包括：高达105°C的工作温度，无活动下降或微跳，0.1 ppb / g，抗振动，以及FlexEdge™可配置的上升/下降时间，以实现最佳EMI降低。
Elite Super-TCXO frequency stability.
TCXO非常适用于IEEE1588，SyncE，物联网基础设施，5G前传和回程，小型蜂窝和智能电网设备等应用。它们具有诸多优势，例如在所有条件下降低掉话和链路丢失，时间同步应用中的时间误差最小，以及具有最佳功能和性能的简化系统设计。
了解有关温补振荡器TCXO的更多信息
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