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可编程晶振空白片差分晶振汽车级晶振温补晶振恒温晶振 fs级低抖动特价申请

MEMS硅晶振产品

可编程晶振空白片FP

FP空白片

单端有源

单端有源

1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位

1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位

差分晶振

差分晶振

1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL

1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL

宽温晶振

宽温晶振

1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动

1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动

压控晶振

压控晶振

1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm

1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm

扩频晶振

扩频晶振

1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围

1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围

便携式编程器

SiT6100DK

SiT6100DK

可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由

可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由

编程软件

软件下载

软件下载

支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成

支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成

MHz有源晶振

低功耗

SiT8008

SiT8008

1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸

1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸

SiT8009

SiT8009

115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸

115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸

SiT1602

SiT1602

支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率

支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率

SiT8021

SiT8021

低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率

低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率

SiT2001

SiT2001

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率

SiT2002

SiT2002

SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

低抖动

SiT8208

SiT8208

1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位

1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位

SiT8209

SiT8209

80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位

80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位

差分晶振

FPGA参考设计推荐

SiT9121

SiT9121

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式

SiT9122

SiT9122

220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式

220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式

SiT9120

SiT9120

支持25-221.5MHz之间常规频率，LVDS/LVPECL信号模式

支持25-221.5MHz之间常规频率，LVDS/LVPECL信号模式

SiT9102

SiT9102

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

低抖动0.3ps

SiT9366

SiT9366

1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

SiT9367

SiT9367

220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

SiT9365

SiT9365

支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式

fs级低抖动

SiT9501

SiT9501

70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

SiT9375

SiT9375

200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式

汽车级晶振

单端

SiT8924

SiT8924

AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率

AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率

SiT8925

SiT8925

AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率

AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率

SiT2024

SiT2024

AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率

AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率

SiT2025

SiT2025

AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率

差分

SiT9386

SiT9386

1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL

1-220MHz任意频率，AEC-Q100，汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL

SiT9387

SiT9387

-40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

-40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

SiT9396

SiT9396

-40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

-40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

SiT9397

SiT9397

-40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

-40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号

抗冲击宽温晶振

-55℃~+125℃

SiT8920

SiT8920

1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失

1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失

SiT8921

SiT8921

119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装

119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装

SiT2020

SiT2020

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

SiT2021

SiT2021

SOT23-5封装，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

SOT23-5封装，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动

-40℃~+125℃

SiT8918

SiT8918

标准通用封装，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动

标准通用封装，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动

SiT8919

SiT8919

标准通用封装，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化

标准通用封装，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化

SiT1618

SiT1618

标准通用封装，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率

标准通用封装，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率

SiT2018

SiT2018

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能

SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能

SiT2019

SiT2019

SOT23-5封装，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT

SOT23-5封装，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT

压控晶振VCXO

单端

SiT3807

SiT3807

仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm

仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm

SiT3808

SiT3808

1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

SiT3809

SiT3809

80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选

0.23ps低抖动差分

SiT3372

SiT3372

1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

SiT3373

SiT3373

220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围

低成本差分

SiT3821

SiT3821

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm

1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm

SiT3822

SiT3822

220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm

220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm

高精度温补晶振TCXO

±0.5ppm~2.5ppm

SiT5155

SiT5155

支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS

支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS

SiT5156

SiT5156

1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

SiT5157

SiT5157

60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

±0.1ppm~0.25ppm

SiT5356

SiT5356

1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

SiT5357

SiT5357

60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

SiT5501

SiT5501

1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选

±5ppm温补差分

SiT5021

SiT5021

1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式

1-220MHz任意频率， LVPECL/LVDS差分信号模式

SiT5022

SiT5022

220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式

220-625MHz任意频率，LVPECL/LVDS差分信号模式

恒温晶振OCXO

±5ppb OCXO

SiT5711

SiT5711

Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击

Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击

±5ppb DCOCXO

SiT5721

SiT5721

Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能

Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能

低功耗小尺寸KHz

低功耗

SiT1532

SiT1532

低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

SiT1533

SiT1533

低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm

低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm

SiT1630

SiT1630

低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5

低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5

高精度

SiT1552

SiT1552

高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

SiT1576

SiT1576

1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP

扩频晶振SSXO

单端

SiT9005

SiT9005

1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选

1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选

SiT9003

SiT9003

1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选

1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选

差分

SiT9002

SiT9002

1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式

1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式

网络同步/去抖时钟

高精度网络同步时钟

SiT95147

SiT95147

低抖动，8路输出MEMS网络同步器

低抖动，8路输出MEMS网络同步器

SiT95148

SiT95148

低抖动，11路输出MEMS网络同步器

低抖动，11路输出MEMS网络同步器

去抖时钟

SiT95145

SiT95145

低抖动，10路输出MEMS抖动清除器

低抖动，10路输出MEMS抖动清除器

时钟发生器

MEMS时钟发生器

SiT95141

SiT95141

低抖动，10路输出MEMS时钟发生器

低抖动，10路输出MEMS时钟发生器

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技术资源与支持 / 应用笔记 / MEMS硅晶振如何抵抗电源噪声

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MEMS硅晶振如何抵抗电源噪声

2024-01-22 14:22:47 57 9 7

SiTime MEMS硅晶振集成了多个片上稳压器来过滤电源噪声，最大限度地减少了对外部专用LDO的需求，并提高了信号完整性。而我们的MEMS硅晶振具有更高的鲁棒性，电源引起的抖动灵敏度低至0.01 ps/mV。

1、更好的抗电源噪声

对电源噪声的最低抖动灵敏度

对宽带电源噪声的最低抖动灵敏度

2、具有多个内部稳压器的SiTime MEMS硅晶振

随着科技的微型化，系统对电源噪声的抗扰性要求日益严格。在电路板上，快速的电流变化会产生串扰和抖动，这些噪声在电源开关过程中会被放大。因此，了解MEMS硅晶振的电源抗扰度在实际应用中的重要性不言而喻。尽管石英晶振的规格基于实验室的理想测试条件，但在实际环境中，电源往往更加复杂和嘈杂。

为抑制这种噪声，我们通常使用无源滤波器和去耦电容器。然而，这些措施并不能完全消除噪声，可能会导致时钟输出抖动，进而影响系统性能并增加错误率。

为了解决这一问题，SiTime创新性地集成了多个片上稳压器，不仅滤除了电源噪声，还为振荡器提供了额外的保护。这一设计显著提高了系统的整体性能，同时也减少了所需的组件数量，使设计更为紧凑。

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