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差分晶振
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温补晶振
恒温晶振
fs级低抖动
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MEMS硅晶振产品
可编程晶振空白片FP
FP空白片
单端有源
单端有源
1-220MHz任意频率可编程,可精确到小数点后6位
1-220MHz任意频率可编程,可精确到小数点后6位
差分晶振
差分晶振
1-725MHz任意频率可编程,LVDS/LVPECL/HCSL
1-725MHz任意频率可编程,LVDS/LVPECL/HCSL
宽温晶振
宽温晶振
1-137MHz任意频率可编程,抗冲击抗振动
1-137MHz任意频率可编程,抗冲击抗振动
压控晶振
压控晶振
1-220MHz任意频率可编程,最大可编程牵引范围±3200ppm
1-220MHz任意频率可编程,最大可编程牵引范围±3200ppm
扩频晶振
扩频晶振
1-220MHz任意频率可编程,多种可编程展频范围
1-220MHz任意频率可编程,多种可编程展频范围
便携式编程器
SiT6100DK
SiT6100DK
可编程晶振编程器套件,快速、灵活、方便、自由
可编程晶振编程器套件,快速、灵活、方便、自由
编程软件
软件下载
软件下载
支持10种产品系列,任意参数自由组合,完整型号自动生成
支持10种产品系列,任意参数自由组合,完整型号自动生成
MHz有源晶振
低功耗
SiT8008
SiT8008
1-110MHz任意频率,多种标准封装尺寸
1-110MHz任意频率,多种标准封装尺寸
SiT8009
SiT8009
115-137MHz任意频率,多种标准封装尺寸
115-137MHz任意频率,多种标准封装尺寸
SiT1602
SiT1602
支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
SiT8021
SiT8021
低功耗100uA,小尺寸1508,1-26MHz常规频率
低功耗100uA,小尺寸1508,1-26MHz常规频率
SiT2001
SiT2001
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
SiT2002
SiT2002
SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
低抖动
SiT8208
SiT8208
1-80MHz任意频率,可精确到小数点后六位
1-80MHz任意频率,可精确到小数点后六位
SiT8209
SiT8209
80-220MHz任意频率,可精确到小数点后六位
80-220MHz任意频率,可精确到小数点后六位
差分晶振
FPGA参考设计推荐
SiT9121
SiT9121
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
SiT9122
SiT9122
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
SiT9120
SiT9120
支持25-221.5MHz之间常规频率 ,LVDS/LVPECL信号模式
支持25-221.5MHz之间常规频率 ,LVDS/LVPECL信号模式
SiT9102
SiT9102
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
低抖动0.3ps
SiT9366
SiT9366
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
SiT9367
SiT9367
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
SiT9365
SiT9365
支持25-325MHz之间常规频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
支持25-325MHz之间常规频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
fs级低抖动
SiT9501
SiT9501
70fs超低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
70fs超低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
SiT9375
SiT9375
200fs低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
200fs低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
汽车级晶振
单端
SiT8924
SiT8924
AEC-Q100认证,标准通用封装,1-110MHz任意频率
AEC-Q100认证,标准通用封装,1-110MHz任意频率
SiT8925
SiT8925
AEC-Q100认证,标准通用封装,115-137MHz任意频率
AEC-Q100认证,标准通用封装,115-137MHz任意频率
SiT2024
SiT2024
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
SiT2025
SiT2025
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
差分
SiT9386
SiT9386
1-220MHz任意频率,AEC-Q100,汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
1-220MHz任意频率,AEC-Q100,汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
SiT9387
SiT9387
-40~105℃,220-725MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~105℃,220-725MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9396
SiT9396
-40~125℃,1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~125℃,1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9397
SiT9397
-40~125℃,220-920MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~125℃,220-920MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
抗冲击宽温晶振
-55℃~+125℃
SiT8920
SiT8920
1-110MHz任意频率,30000G抗冲击,坚不可摧,万无一失
1-110MHz任意频率,30000G抗冲击,坚不可摧,万无一失
SiT8921
SiT8921
119-137MHz任意频率,30000G抗冲击,标准通用封装
119-137MHz任意频率,30000G抗冲击,标准通用封装
SiT2020
SiT2020
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
SiT2021
SiT2021
SOT23-5封装 ,119-137MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
SOT23-5封装 ,119-137MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
-40℃~+125℃
SiT8918
SiT8918
标准通用封装 ,1-110MHz任意频率,抗冲击抗振动
标准通用封装 ,1-110MHz任意频率,抗冲击抗振动
SiT8919
SiT8919
标准通用封装 ,115-137MHz任意频率,耐环境压力变化
标准通用封装 ,115-137MHz任意频率,耐环境压力变化
SiT1618
SiT1618
标准通用封装 ,仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
标准通用封装 ,仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
SiT2018
SiT2018
SOT23-5封装 ,1-110MHz任意频率,在恶劣环境中更好的动态性能
SOT23-5封装 ,1-110MHz任意频率,在恶劣环境中更好的动态性能
SiT2019
SiT2019
SOT23-5封装 ,115-137MHz任意频率,<1 DPPM FIT
SOT23-5封装 ,115-137MHz任意频率,<1 DPPM FIT
压控晶振VCXO
单端
SiT3807
SiT3807
仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率,最大牵引范围±200ppm
仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率,最大牵引范围±200ppm
SiT3808
SiT3808
1-80MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
1-80MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
SiT3809
SiT3809
80-220MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
80-220MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
0.23ps低抖动差分
SiT3372
SiT3372
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
SiT3373
SiT3373
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
低成本差分
SiT3821
SiT3821
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式,最大牵引范围±1600ppm
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式,最大牵引范围±1600ppm
SiT3822
SiT3822
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号,最大牵引范围±1600ppm
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号,最大牵引范围±1600ppm
高精度温补晶振TCXO
±0.5ppm~2.5ppm
SiT5155
SiT5155
支持10-40MHz之间常用频率,抗冲击抗震动,RDSS/RNSS/GNSS
支持10-40MHz之间常用频率,抗冲击抗震动,RDSS/RNSS/GNSS
SiT5156
SiT5156
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5157
SiT5157
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
±0.1ppm~0.25ppm
SiT5356
SiT5356
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5357
SiT5357
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5501
SiT5501
1-60MHz任意频率,±0.01ppm高精度,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率,±0.01ppm高精度,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
±5ppm温补差分
SiT5021
SiT5021
1-220MHz任意频率, LVPECL/LVDS差分信号模式
1-220MHz任意频率, LVPECL/LVDS差分信号模式
SiT5022
SiT5022
220-625MHz任意频率,LVPECL/LVDS差分信号模式
220-625MHz任意频率,LVPECL/LVDS差分信号模式
恒温晶振OCXO
±5ppb OCXO
SiT5711
SiT5711
Stratum 3E高稳三级钟,方波、削峰正弦波可选,抗气流和热冲击
Stratum 3E高稳三级钟,方波、削峰正弦波可选,抗气流和热冲击
±5ppb DCOCXO
SiT5721
SiT5721
Stratum 3E高稳三级钟,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
Stratum 3E高稳三级钟,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
低功耗小尺寸KHz
低功耗
SiT1532
SiT1532
低功耗小于1uA,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
低功耗小于1uA,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
SiT1533
SiT1533
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm
SiT1630
SiT1630
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
高精度
SiT1552
SiT1552
高精度±5ppm,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
高精度±5ppm,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
SiT1576
SiT1576
1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
扩频晶振SSXO
单端
SiT9005
SiT9005
1-141MHz任意频率,EMI降低可达30 dB,小体积、多种展频范围可选
1-141MHz任意频率,EMI降低可达30 dB,小体积、多种展频范围可选
SiT9003
SiT9003
1-110MHz任意频率,低功耗,多种展频范围可选
1-110MHz任意频率,低功耗,多种展频范围可选
差分
SiT9002
SiT9002
1-220MHz任意频率, LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
1-220MHz任意频率, LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
网络同步/去抖时钟
高精度网络同步时钟
SiT95147
SiT95147
低抖动,8路输出MEMS网络同步器
低抖动,8路输出MEMS网络同步器
SiT95148
SiT95148
低抖动,11路输出MEMS网络同步器
低抖动,11路输出MEMS网络同步器
去抖时钟
SiT95145
SiT95145
低抖动,10路输出MEMS抖动清除器
低抖动,10路输出MEMS抖动清除器
时钟发生器
MEMS时钟发生器
SiT95141
SiT95141
低抖动,10路输出MEMS时钟发生器
低抖动,10路输出MEMS时钟发生器
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07月
30
2021
SiTime低功耗MEMS振荡器SiT8008应用于金融支付终端及POS机
MEMS时钟领域的市场领导者SiTime近日宣布,全球值得信赖的软件、支付和硬件解决方案Square的金融支付终端和POS机正在使用SiTime低功耗可编程MEMS振荡器:SiT8008。这款振荡器是SiTime最受欢迎的产品之一,广泛用于企业、工业、移动和消费市场。
03月
18
2021
正确认识差分晶振与普通晶振的区别
06月
17
2020
不同差分晶振信号模式LVDS/LVPECL/HCSL/CML的转换
不同差分晶振信号模式LVDS/LVPECL/HCSL/CML的转换介绍与比较
06月
16
2020
SiTime的可编程硅MEMS振荡器可提高以太网系统BER(误码率)
基于以太网的网络系统中的数据包丢失是导致网络性能严重下降的关键错误。 过去,通过重新设计电路板,通常会克服丢包问题。 随着时间的推移,出现了另一种流行的减少数据包丢失的技术:将参考时钟频率提高到以太网芯片组。
06月
15
2020
MEMS硅晶振技术优势阐述
MEMS硅晶振比石英晶振具备一些固有的优点在各种环境中可靠地执行。 SiTime开发了MEMS FirstTM工艺,这些MEMS谐振子完全用硅晶圆封装并封闭在微型真空晶圆腔内。 MEMS谐振子的质量非常小,其刚性的硅晶体结构组合使其耐用,并且极大地抵抗诸如冲击和振动的外部力。此外,振荡器中精密设计的模拟电路可提供高可靠性和抗电磁噪声干扰能力。
06月
14
2020
MEMS振荡器可靠性计算
MEMS振荡器在半导体元件中拥有最高可靠性等级。选择具有最高可靠性等级的器件避免了组件故障的可能性导致现场产品故障。 SiTime提供了满足此目标的MEMS振荡器,全球超过2.5亿只(截至2015年1月)出货量无故障率。 零故障率令人印象深刻,但工程师希望确保零件已经充分测试可靠性。半导体元件的可靠性测量的关键指标是平均故障间隔时间MTBF。MTBF越高,预期寿命越长该设备越可靠。本应用笔记介绍了SiTime MEMS振荡器MTBF的测试和计算。
06月
13
2020
MEMS振荡器与石英振荡器的震动和振动性能比较(一)
石英振荡器中的晶体谐振器特别是悬臂结构对振动损坏敏感。SiTime MEMS谐振器在本质上更为强大的两个原因: 一、它们的质量比石英谐振器小得多,这减少了从振动引起的加速度施加到谐振器的力; 二、专有SiTime MEMS振荡器的设计包括在批量模式下平面内振动的非常硬的谐振器结构,具有固有抗振性的几何形状,以及振荡器电路设计减少振动时的频次。
06月
12
2020
MEMS振荡器和石英振荡器的震动和振动性能比较(二)
在实验室环境中表现良好的电子部件在存在冲击和振动实际应用中可能不具有相同的性能。SiTime MEMS振荡器在生存性方面获得了非常高的质量和环境可靠性等级震动。现在,关于相位噪声和抖动测量的实验数据冲击和振动测试表明,SiTime MEMS振荡器不仅可以存活,而且可以在这些条件下表现非常好。这种抗机械冲击和振动是MEMS器件技术和SiTime的根本进步的结果用于精密振荡器的MEMS谐振器和模拟电路的专有设计。
06月
11
2020
MEMS振荡器与石英晶振电磁干扰比较
SiTime MEMS振荡器特别适用于抖动诱导的外部EMI源。这个即使在竞争对手的振荡器体验的范围内也可以实现高频EMI噪声显着信号降解。根据SiTime委托测试显示的结果在认可的第三方实验室进行了EMI研究[1] [2],压电石英器件更易受EMI影响。因此,不可预知的大电磁干扰环境下,SiTime振荡器是一个很好的可靠性选择。
06月
10
2020
SiTime MEMS振荡器电路设计和布局参考
SiTime MEMS振荡器电路设计和布局参考:去耦、旁路、电源降噪等方面
06月
09
2020
有源晶振抖动定义与SiTime推荐的测量方法
抖动是一组信号边沿与其理想值的时序变化。时钟信号中的抖动通常由系统中的噪声或其他干扰引起。导致因素包括热噪声,电源变化,负载条件,器件噪声和从附近电路耦合的干扰。本文详细介绍了SiTime有源晶振的定义以及SiTime推荐的抖动测量方法。
06月
08
2020
SiTime推荐检测振荡器时钟信号输出方法
电气工程师经常使用示波器,用于简单检测低速数字信号到精确的波形和抖动测量。他们需要使用探针直接测量PCB上的任意信号。然而,探头可能会对信号造成额外的负担使示波器上显示的波形失真。因此应仔细检查。
06月
07
2020
SiTime单端振荡器驱动单个或多个负载的建议
具有快速边沿的时钟信号在印刷电路板(PCB)上作为传输线而不是简单的线连接。 如果PCB迹线的长度超过一定的极限它需要跟踪阻抗的一个或两个的源和负载阻抗的匹配。 阻抗不匹配导致信号反射来回传输线路,导致信号失真,如振铃,过冲和下冲。 本应用笔记提供了正确终止主要采用LVCMOS输出驱动的单端跟踪的指导原则。
06月
04
2020
MEMS振荡器与石英晶振性能对比
在真实世界的条件下考虑振荡器的性能是非常重要。 实际操作条件通常包括存在电源噪声,外部EMI,振动和冲击。 在这些条件下进行测试与石英振荡器和基于半导体的器件相比,展示了SiTime MEMS振荡器的优势。 SiTime在所有四个类别中都表现优越: 1.电源噪声:优于石英晶振7倍 2.易受EMI噪音影响:比竞争对手优于50倍 3.振动:比石英优于40倍 4.可靠性:比石英优于80倍
06月
03
2020
您知道何时使用晶体振荡器或MEMS振荡器吗
您是否考虑过使用晶体振荡器和MEMS振荡器的实际成本?当晶体的价格看起来如此便宜时,至少在表面上,这个问题可能不是您选择过程中的首要问题。但是,尽管晶体组件的成本通常较低,但是一旦计算出总设计成本,情况就大不相同了。 在SiTime,我们听到了许多客户的电话,他们遇到晶体设计问题,例如冷启动故障,晶体不匹配引起的振荡器电路问题或无法通过EMI测试。这些问题会导致开发过程中工程成本超支,并可能导致成本高昂的质量问题。另外,延迟产品发布日期可能会导致失去宝贵的机会。在这里,我们分享了三种情况,当面对晶体设计问题时,客户来到SiTime来降低他们的总体拥有成本。
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