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差分晶振
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温补晶振
恒温晶振
fs级低抖动
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MEMS硅晶振产品
可编程晶振空白片FP
FP空白片
单端有源
单端有源
1-220MHz任意频率可编程,可精确到小数点后6位
1-220MHz任意频率可编程,可精确到小数点后6位
差分晶振
差分晶振
1-725MHz任意频率可编程,LVDS/LVPECL/HCSL
1-725MHz任意频率可编程,LVDS/LVPECL/HCSL
宽温晶振
宽温晶振
1-137MHz任意频率可编程,抗冲击抗振动
1-137MHz任意频率可编程,抗冲击抗振动
压控晶振
压控晶振
1-220MHz任意频率可编程,最大可编程牵引范围±3200ppm
1-220MHz任意频率可编程,最大可编程牵引范围±3200ppm
扩频晶振
扩频晶振
1-220MHz任意频率可编程,多种可编程展频范围
1-220MHz任意频率可编程,多种可编程展频范围
便携式编程器
SiT6100DK
SiT6100DK
可编程晶振编程器套件,快速、灵活、方便、自由
可编程晶振编程器套件,快速、灵活、方便、自由
编程软件
软件下载
软件下载
支持10种产品系列,任意参数自由组合,完整型号自动生成
支持10种产品系列,任意参数自由组合,完整型号自动生成
MHz有源晶振
低功耗
SiT8008
SiT8008
1-110MHz任意频率,多种标准封装尺寸
1-110MHz任意频率,多种标准封装尺寸
SiT8009
SiT8009
115-137MHz任意频率,多种标准封装尺寸
115-137MHz任意频率,多种标准封装尺寸
SiT1602
SiT1602
支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
SiT8021
SiT8021
低功耗100uA,小尺寸1508,1-26MHz常规频率
低功耗100uA,小尺寸1508,1-26MHz常规频率
SiT2001
SiT2001
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
SiT2002
SiT2002
SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
低抖动
SiT8208
SiT8208
1-80MHz任意频率,可精确到小数点后六位
1-80MHz任意频率,可精确到小数点后六位
SiT8209
SiT8209
80-220MHz任意频率,可精确到小数点后六位
80-220MHz任意频率,可精确到小数点后六位
差分晶振
FPGA参考设计推荐
SiT9121
SiT9121
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
SiT9122
SiT9122
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
SiT9120
SiT9120
支持25-221.5MHz之间常规频率 ,LVDS/LVPECL信号模式
支持25-221.5MHz之间常规频率 ,LVDS/LVPECL信号模式
SiT9102
SiT9102
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
低抖动0.3ps
SiT9366
SiT9366
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
SiT9367
SiT9367
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
SiT9365
SiT9365
支持25-325MHz之间常规频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
支持25-325MHz之间常规频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
fs级低抖动
SiT9501
SiT9501
70fs超低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
70fs超低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
SiT9375
SiT9375
200fs低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
200fs低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
汽车级晶振
单端
SiT8924
SiT8924
AEC-Q100认证,标准通用封装,1-110MHz任意频率
AEC-Q100认证,标准通用封装,1-110MHz任意频率
SiT8925
SiT8925
AEC-Q100认证,标准通用封装,115-137MHz任意频率
AEC-Q100认证,标准通用封装,115-137MHz任意频率
SiT2024
SiT2024
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
SiT2025
SiT2025
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
差分
SiT9386
SiT9386
1-220MHz任意频率,AEC-Q100,汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
1-220MHz任意频率,AEC-Q100,汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
SiT9387
SiT9387
-40~105℃,220-725MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~105℃,220-725MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9396
SiT9396
-40~125℃,1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~125℃,1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9397
SiT9397
-40~125℃,220-920MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~125℃,220-920MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
抗冲击宽温晶振
-55℃~+125℃
SiT8920
SiT8920
1-110MHz任意频率,30000G抗冲击,坚不可摧,万无一失
1-110MHz任意频率,30000G抗冲击,坚不可摧,万无一失
SiT8921
SiT8921
119-137MHz任意频率,30000G抗冲击,标准通用封装
119-137MHz任意频率,30000G抗冲击,标准通用封装
SiT2020
SiT2020
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
SiT2021
SiT2021
SOT23-5封装 ,119-137MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
SOT23-5封装 ,119-137MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
-40℃~+125℃
SiT8918
SiT8918
标准通用封装 ,1-110MHz任意频率,抗冲击抗振动
标准通用封装 ,1-110MHz任意频率,抗冲击抗振动
SiT8919
SiT8919
标准通用封装 ,115-137MHz任意频率,耐环境压力变化
标准通用封装 ,115-137MHz任意频率,耐环境压力变化
SiT1618
SiT1618
标准通用封装 ,仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
标准通用封装 ,仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
SiT2018
SiT2018
SOT23-5封装 ,1-110MHz任意频率,在恶劣环境中更好的动态性能
SOT23-5封装 ,1-110MHz任意频率,在恶劣环境中更好的动态性能
SiT2019
SiT2019
SOT23-5封装 ,115-137MHz任意频率,<1 DPPM FIT
SOT23-5封装 ,115-137MHz任意频率,<1 DPPM FIT
压控晶振VCXO
单端
SiT3807
SiT3807
仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率,最大牵引范围±200ppm
仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率,最大牵引范围±200ppm
SiT3808
SiT3808
1-80MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
1-80MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
SiT3809
SiT3809
80-220MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
80-220MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
0.23ps低抖动差分
SiT3372
SiT3372
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
SiT3373
SiT3373
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
低成本差分
SiT3821
SiT3821
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式,最大牵引范围±1600ppm
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式,最大牵引范围±1600ppm
SiT3822
SiT3822
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号,最大牵引范围±1600ppm
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号,最大牵引范围±1600ppm
高精度温补晶振TCXO
±0.5ppm~2.5ppm
SiT5155
SiT5155
支持10-40MHz之间常用频率,抗冲击抗震动,RDSS/RNSS/GNSS
支持10-40MHz之间常用频率,抗冲击抗震动,RDSS/RNSS/GNSS
SiT5156
SiT5156
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5157
SiT5157
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
±0.1ppm~0.25ppm
SiT5356
SiT5356
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5357
SiT5357
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5501
SiT5501
1-60MHz任意频率,±0.01ppm高精度,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率,±0.01ppm高精度,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
±5ppm温补差分
SiT5021
SiT5021
1-220MHz任意频率, LVPECL/LVDS差分信号模式
1-220MHz任意频率, LVPECL/LVDS差分信号模式
SiT5022
SiT5022
220-625MHz任意频率,LVPECL/LVDS差分信号模式
220-625MHz任意频率,LVPECL/LVDS差分信号模式
恒温晶振OCXO
±5ppb OCXO
SiT5711
SiT5711
Stratum 3E高稳三级钟,方波、削峰正弦波可选,抗气流和热冲击
Stratum 3E高稳三级钟,方波、削峰正弦波可选,抗气流和热冲击
±5ppb DCOCXO
SiT5721
SiT5721
Stratum 3E高稳三级钟,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
Stratum 3E高稳三级钟,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
低功耗小尺寸KHz
低功耗
SiT1532
SiT1532
低功耗小于1uA,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
低功耗小于1uA,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
SiT1533
SiT1533
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm
SiT1630
SiT1630
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
高精度
SiT1552
SiT1552
高精度±5ppm,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
高精度±5ppm,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
SiT1576
SiT1576
1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
扩频晶振SSXO
单端
SiT9005
SiT9005
1-141MHz任意频率,EMI降低可达30 dB,小体积、多种展频范围可选
1-141MHz任意频率,EMI降低可达30 dB,小体积、多种展频范围可选
SiT9003
SiT9003
1-110MHz任意频率,低功耗,多种展频范围可选
1-110MHz任意频率,低功耗,多种展频范围可选
差分
SiT9002
SiT9002
1-220MHz任意频率, LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
1-220MHz任意频率, LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
网络同步/去抖时钟
高精度网络同步时钟
SiT95147
SiT95147
低抖动,8路输出MEMS网络同步器
低抖动,8路输出MEMS网络同步器
SiT95148
SiT95148
低抖动,11路输出MEMS网络同步器
低抖动,11路输出MEMS网络同步器
去抖时钟
SiT95145
SiT95145
低抖动,10路输出MEMS抖动清除器
低抖动,10路输出MEMS抖动清除器
时钟发生器
MEMS时钟发生器
SiT95141
SiT95141
低抖动,10路输出MEMS时钟发生器
低抖动,10路输出MEMS时钟发生器
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12月
03
2021
SiTime抗冲击宽温振荡器SiT8918替代DIODES HX201系列说明与比较
SiTime抗冲击宽温振荡器SiT8918替代DIODES HX201系列说明与比较
12月
01
2021
SiTime低抖动压控差分晶振SiT3372替代Silicon Labs Si595系列说明与比较
SiTime低抖动压控差分晶振SiT3372替代Silicon Labs Si595系列说明与比较
12月
01
2021
SiTime低抖动压控差分晶振SiT3372替代Silicon Labs Si515系列说明与比较
SiTime低抖动压控差分晶振SiT3372替代Silicon Labs Si515系列说明与比较
12月
01
2021
SiTime低抖动压控差分晶振SiT3372替代Silicon Labs Si550系列说明与比较
SiTime低抖动压控差分晶振SiT3372替代Silicon Labs Si550系列说明与比较
12月
01
2021
SiTime低抖动压控差分晶振SiT3372替代Silicon Labs Si565系列说明与比较
SiTime低抖动压控差分晶振SiT3372替代Silicon Labs Si565系列说明与比较
12月
01
2021
SiTime超低抖动差分晶振SiT9366替代Silicon Labs Si590/Si591系列说明与比较
SiTime超低抖动差分晶振SiT9366替代Silicon Labs Si590/Si591系列说明与比较
11月
30
2021
SiTime超低抖动差分晶振SiT9366替代Silicon Labs Si510/Si511系列说明与比较
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11月
30
2021
SiTime超低抖动差分晶振SiT9366替代Silicon Labs Si535/Si536系列说明与比较
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11月
30
2021
SiTime超低抖动差分晶振SiT9366替代Silicon Labs Si560系列说明与比较
SiTime超低抖动差分晶振SiT9366替代Silicon Labs Si560系列说明与比较
11月
30
2021
SiTime超低抖动差分晶振SiT9366替代Silicon Labs Si545系列说明与比较
SiTime超低抖动差分晶振SIT9366替代Silicon Labs Si545系列说明与比较
11月
30
2021
SiTime超低抖动差分晶振SiT9366替代Silicon Labs Si540系列说明与比较
SiTime超低抖动差分晶振SiT9366替代Silicon Labs Si540系列说明与比较
11月
29
2021
SiTime差分振荡器的端接建议
差分振荡器用于高性能应用,具有多种优势,例如对电源噪声具有更高的鲁棒性。表1中列出的SiTime差分振荡器系列提供了端接建议,带有LVPECL、LVDS或HCSL输出驱动器。 还讨论了用LVPECL输出驱动CML或HCSL时钟输入的接口。
11月
25
2021
SiTime MEMS硅晶振产品型号包装尾缀说明
SiTime MEMS硅晶振产品型号包装尾缀说明:1、尾缀英文字母:表示产品包装数量,不同的字母代表不同包装数量与包装形式;2、尾缀字母和产品本身没关系
11月
25
2021
SiTime低成本差分晶振SiT9121替代Silicon Labs Si531系列说明与比较
SiTime低成本差分晶振SiT9121替代Silicon Labs Si531系列说明与比较
11月
24
2021
SiTime TCXO频率稳定性和频率精度计算
温度补偿振荡器 (TCXO) 用于通常需要 5 ppm 或更高频率稳定性的系统中的频率参考。 通常,这些系统中的频率精度必须保持在考虑到 TCXO 频率漂移的时序预算内。业界通常定义一组频率稳定性参数,以量化环境因素和电路条件对参考振荡器的影响。 本文解释了 SiTime TCXO 数据表中的频率稳定性规范以及如何计算频率精度。
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