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可编程晶振空白片
差分晶振
汽车级晶振
温补晶振
恒温晶振
fs级低抖动
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MEMS硅晶振产品
可编程晶振空白片FP
FP空白片
单端有源
单端有源
1-220MHz任意频率可编程,可精确到小数点后6位
1-220MHz任意频率可编程,可精确到小数点后6位
差分晶振
差分晶振
1-725MHz任意频率可编程,LVDS/LVPECL/HCSL
1-725MHz任意频率可编程,LVDS/LVPECL/HCSL
宽温晶振
宽温晶振
1-137MHz任意频率可编程,抗冲击抗振动
1-137MHz任意频率可编程,抗冲击抗振动
压控晶振
压控晶振
1-220MHz任意频率可编程,最大可编程牵引范围±3200ppm
1-220MHz任意频率可编程,最大可编程牵引范围±3200ppm
扩频晶振
扩频晶振
1-220MHz任意频率可编程,多种可编程展频范围
1-220MHz任意频率可编程,多种可编程展频范围
便携式编程器
SiT6100DK
SiT6100DK
可编程晶振编程器套件,快速、灵活、方便、自由
可编程晶振编程器套件,快速、灵活、方便、自由
编程软件
软件下载
软件下载
支持10种产品系列,任意参数自由组合,完整型号自动生成
支持10种产品系列,任意参数自由组合,完整型号自动生成
MHz有源晶振
低功耗
SiT8008
SiT8008
1-110MHz任意频率,多种标准封装尺寸
1-110MHz任意频率,多种标准封装尺寸
SiT8009
SiT8009
115-137MHz任意频率,多种标准封装尺寸
115-137MHz任意频率,多种标准封装尺寸
SiT1602
SiT1602
支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
SiT8021
SiT8021
低功耗100uA,小尺寸1508,1-26MHz常规频率
低功耗100uA,小尺寸1508,1-26MHz常规频率
SiT2001
SiT2001
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
SiT2002
SiT2002
SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
低抖动
SiT8208
SiT8208
1-80MHz任意频率,可精确到小数点后六位
1-80MHz任意频率,可精确到小数点后六位
SiT8209
SiT8209
80-220MHz任意频率,可精确到小数点后六位
80-220MHz任意频率,可精确到小数点后六位
差分晶振
FPGA参考设计推荐
SiT9121
SiT9121
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
SiT9122
SiT9122
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
SiT9120
SiT9120
支持25-221.5MHz之间常规频率 ,LVDS/LVPECL信号模式
支持25-221.5MHz之间常规频率 ,LVDS/LVPECL信号模式
SiT9102
SiT9102
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
低抖动0.3ps
SiT9366
SiT9366
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
SiT9367
SiT9367
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
SiT9365
SiT9365
支持25-325MHz之间常规频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
支持25-325MHz之间常规频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
fs级低抖动
SiT9501
SiT9501
70fs超低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
70fs超低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
SiT9375
SiT9375
200fs低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
200fs低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
汽车级晶振
单端
SiT8924
SiT8924
AEC-Q100认证,标准通用封装,1-110MHz任意频率
AEC-Q100认证,标准通用封装,1-110MHz任意频率
SiT8925
SiT8925
AEC-Q100认证,标准通用封装,115-137MHz任意频率
AEC-Q100认证,标准通用封装,115-137MHz任意频率
SiT2024
SiT2024
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
SiT2025
SiT2025
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
差分
SiT9386
SiT9386
1-220MHz任意频率,AEC-Q100,汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
1-220MHz任意频率,AEC-Q100,汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
SiT9387
SiT9387
-40~105℃,220-725MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~105℃,220-725MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9396
SiT9396
-40~125℃,1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~125℃,1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9397
SiT9397
-40~125℃,220-920MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~125℃,220-920MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
抗冲击宽温晶振
-55℃~+125℃
SiT8920
SiT8920
1-110MHz任意频率,30000G抗冲击,坚不可摧,万无一失
1-110MHz任意频率,30000G抗冲击,坚不可摧,万无一失
SiT8921
SiT8921
119-137MHz任意频率,30000G抗冲击,标准通用封装
119-137MHz任意频率,30000G抗冲击,标准通用封装
SiT2020
SiT2020
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
SiT2021
SiT2021
SOT23-5封装 ,119-137MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
SOT23-5封装 ,119-137MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
-40℃~+125℃
SiT8918
SiT8918
标准通用封装 ,1-110MHz任意频率,抗冲击抗振动
标准通用封装 ,1-110MHz任意频率,抗冲击抗振动
SiT8919
SiT8919
标准通用封装 ,115-137MHz任意频率,耐环境压力变化
标准通用封装 ,115-137MHz任意频率,耐环境压力变化
SiT1618
SiT1618
标准通用封装 ,仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
标准通用封装 ,仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
SiT2018
SiT2018
SOT23-5封装 ,1-110MHz任意频率,在恶劣环境中更好的动态性能
SOT23-5封装 ,1-110MHz任意频率,在恶劣环境中更好的动态性能
SiT2019
SiT2019
SOT23-5封装 ,115-137MHz任意频率,<1 DPPM FIT
SOT23-5封装 ,115-137MHz任意频率,<1 DPPM FIT
压控晶振VCXO
单端
SiT3807
SiT3807
仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率,最大牵引范围±200ppm
仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率,最大牵引范围±200ppm
SiT3808
SiT3808
1-80MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
1-80MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
SiT3809
SiT3809
80-220MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
80-220MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
0.23ps低抖动差分
SiT3372
SiT3372
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
SiT3373
SiT3373
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
低成本差分
SiT3821
SiT3821
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式,最大牵引范围±1600ppm
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式,最大牵引范围±1600ppm
SiT3822
SiT3822
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号,最大牵引范围±1600ppm
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号,最大牵引范围±1600ppm
高精度温补晶振TCXO
±0.5ppm~2.5ppm
SiT5155
SiT5155
支持10-40MHz之间常用频率,抗冲击抗震动,RDSS/RNSS/GNSS
支持10-40MHz之间常用频率,抗冲击抗震动,RDSS/RNSS/GNSS
SiT5156
SiT5156
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5157
SiT5157
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
±0.1ppm~0.25ppm
SiT5356
SiT5356
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5357
SiT5357
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5501
SiT5501
1-60MHz任意频率,±0.01ppm高精度,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率,±0.01ppm高精度,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
±5ppm温补差分
SiT5021
SiT5021
1-220MHz任意频率, LVPECL/LVDS差分信号模式
1-220MHz任意频率, LVPECL/LVDS差分信号模式
SiT5022
SiT5022
220-625MHz任意频率,LVPECL/LVDS差分信号模式
220-625MHz任意频率,LVPECL/LVDS差分信号模式
恒温晶振OCXO
±5ppb OCXO
SiT5711
SiT5711
Stratum 3E高稳三级钟,方波、削峰正弦波可选,抗气流和热冲击
Stratum 3E高稳三级钟,方波、削峰正弦波可选,抗气流和热冲击
±5ppb DCOCXO
SiT5721
SiT5721
Stratum 3E高稳三级钟,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
Stratum 3E高稳三级钟,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
低功耗小尺寸KHz
低功耗
SiT1532
SiT1532
低功耗小于1uA,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
低功耗小于1uA,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
SiT1533
SiT1533
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm
SiT1630
SiT1630
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
高精度
SiT1552
SiT1552
高精度±5ppm,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
高精度±5ppm,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
SiT1576
SiT1576
1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
扩频晶振SSXO
单端
SiT9005
SiT9005
1-141MHz任意频率,EMI降低可达30 dB,小体积、多种展频范围可选
1-141MHz任意频率,EMI降低可达30 dB,小体积、多种展频范围可选
SiT9003
SiT9003
1-110MHz任意频率,低功耗,多种展频范围可选
1-110MHz任意频率,低功耗,多种展频范围可选
差分
SiT9002
SiT9002
1-220MHz任意频率, LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
1-220MHz任意频率, LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
网络同步/去抖时钟
高精度网络同步时钟
SiT95147
SiT95147
低抖动,8路输出MEMS网络同步器
低抖动,8路输出MEMS网络同步器
SiT95148
SiT95148
低抖动,11路输出MEMS网络同步器
低抖动,11路输出MEMS网络同步器
去抖时钟
SiT95145
SiT95145
低抖动,10路输出MEMS抖动清除器
低抖动,10路输出MEMS抖动清除器
时钟发生器
MEMS时钟发生器
SiT95141
SiT95141
低抖动,10路输出MEMS时钟发生器
低抖动,10路输出MEMS时钟发生器
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01月
22
2024
MEMS硅晶振如何抵抗电源噪声
MEMS硅晶振集成了多个片上稳压器,不仅能高效滤除电源噪声,还显著减少了对外接专用LDO的依赖。这不仅增强了信号的完整性,还赋予了硅晶振更高的稳健性。最令人瞩目的是,电源抖动灵敏度低至0.01 ps/mV,这无疑是一项卓越的技术突破。
01月
22
2024
MEMS硅晶振如何降低相噪与时钟抖动
01月
19
2024
可编程晶振空白片的优势与灵活性
SiTime革命性的MEMS振荡器产品是一个可编程的架构,用户能够得到其精确设计要求的产品。SiTime晶振批量供货周期只需三至五周,借助SiTime可编程功能客户可以不用多个供应商供货,也减少审核供应商资格工作。研发人员也可以选择使用SiTime晶振编程器,实时对SiTime振荡器在自己的实验室或办公室进行编程,节约时间,加快样机研发。
01月
19
2024
如何区分MEMS硅晶振与石英晶振
01月
19
2024
MEMS振荡器的频率稳定度
01月
19
2024
如何对比MEMS硅晶振和石英晶振的电磁敏感性
03月
17
2023
±0.1ppm高精度温补振荡器SiT7910如何为航空航天和国防提供25倍精准计时
07月
05
2022
如何应对与解决MEMS硅晶振故障问题
在使用过程中晶振突然坏了怎么办?这是许多晶振从业者不可避免接收到的客户问题,但如果说一定是质量不过关,那就有失偏颇了。比如,焊接方式错误,周围环境,温度范围,重大跌损和错误选择参数等,都有可能引起晶振不起振,停振,误差大及其他一些问题。以下是SiTime样品中心给大家提供几点晶振的处理方法。
06月
28
2022
汽车级晶振选型设计指南
随着电动汽车的应用与普及, 传统的汽车设计发生了非常大的变化。电子电路的功能与系统已经成为电动汽车的核心技术.那同样有着电子电路“心脏”之称的时钟则是核心中的核心。 而一款电动汽车,最多则会用到70多颗时钟器件,这些时钟器件是否具有AEC-Q100认证,是否具有超强的抗震性、高低温稳定性、EMI抗干扰性等,与汽车的安全性能有最直接的关系。所以,作为电动汽车的设计者,就一定要在时钟产品选择与设计方面做诸多考量。
05月
27
2022
如何延长无线医疗设备的电池寿命
无线医疗设备越来越普遍,用于远程监测和记录生命体征,以帮助检测和治疗疾病和医疗异常。图1显示了一个示例。无线身体传感器通过互联网中心或个人服务器(如患者的智能手机)上传生命体征。为了持续监控和上传重要数据,无线医疗设备需要保持与云的长期连接。医疗可穿戴设备持续快速增长的关键是缩小设备尺寸、延长电池寿命和智能手机的普及。
05月
26
2022
SiTime保持振荡器的自适应漂移补偿
移动宽带和电信网络依靠称为 Stratum 时钟的高度稳定和准确的定时源来满足表 1 中所示的严格相位和同步要求。 在典型的网络部署中,有一个可追溯到 Stratum-1 的主要参考时钟源 (PRS)或铯原子钟。一个典型的网络节点计时时钟源:Stratum-3 或 -3E 源自更准确的上游 Stratum-2 时钟。每个 Stratum 级别的时钟必须满足标准规定的频率稳定性和 20 年以上的长期老化。Stratum-n 精度和保持规范的详细信息在以下部分中描述。
05月
25
2022
SiTime硅晶振温度传感技术
SiTime 的 Elite Platform™ 振荡器和 Super-TCXO™ 系列基于一种新颖的架构,由 DualMEMS™ 芯片和混合信号 CMOS IC 组成,具有专有的温度补偿方案和低噪声频率合成器。这种架构可实现出色的动态性能、超低抖动、宽频率范围和可编程性。凭借 DualMEMS 技术,SiTime 利用公司丰富的 MEMS 设计和制造专业知识以及对硅作为热、机械和电气材料的理解来生产世界上最准确的温度传感器,从而以更低的成本获得类似 OCXO 的性能,低功耗 TCXO 实现。从根本上说,独特的 DualMEMS 芯片结构和 TurboCompensation™ 温度补偿可在温度范围内实现卓越的频率稳定性和对动态热干扰的稳健性。基于石英晶体的 TCXO 无法与 DualMEMS Super-TCXO 器件的稳定性和弹性相匹配。
05月
23
2022
SiTime硅晶振在SSD存储中的应用
讲应用之前,我们先来看一下什么是SSD存储。其实SSD存储与SiTime的MEMS硅晶振有些相似之外,就是两者都是用半导体技术替代了原来的传统技术,并在性能上有了更大的提升。存储是一直伴随着整个人类文化的发展进步而来的,从最早的结绳记事开始,到文字的出现,再到造纸术、印刷术,等等。这些都是存储。也正是这些存储,人类文明才能得以传承。
04月
02
2022
示波器的两个最重要参数之示波器宽带和采样率详解
本文主要介绍示波器的两个最重要的参数:带宽和采样率。
03月
23
2022
SiTime硅晶振FPGA应用方案
随着科技的发展,人工智能、自动驾驶、机器视觉、工业自动化等越来越接近我们的生活。FPGA因本身就是一个包含许多功能模块的系统,所以越来越被广泛的使用于上述产品设计中。但如此多的不同的功能模块,经常使用多个时钟来驱动。研发人员必须决定如何结合外部振荡器和内部PLL资源以实现最佳的时钟树设计。
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