MEMS硅晶振特点与优势

  SiTime独辟蹊径，大胆运用创新性的MEMS技术，成功打破了传统技术限制。在MEMS硅晶振、时钟发生器及谐振器领域，SiTime带来了更为丰富的功能、更高的性能、超群的可靠性和显著的成本优势。相比于传统的石英晶振，SiTime的硅晶振在稳定性、频率范围以及价格等多个维度展现出独特的优越性。下图解中的鲜明对比，有力证明了SiTime在时钟技术领域的革命性突破与卓越成就。

最广泛的功能

       客户借助SiTime可编程硅晶振几乎可以无限的对频率，电压、精度（PPM）、封装等参数进行组合，使得系统的设计和性能都得到了进一步优化。

• 可定制的频率：1Hz到650 MHz之间任意频率，可精确到小数点后6位

• 电源电压：1.8、2.5、2.8或3.3V（宽压范围2.25-3.63v）

• 频率稳定度：±0.5、±1、±1.5、±2.5、±5、±10、±20、±25、±50ppm

• 扩频功能：中心扩频和向下扩频的模式选择

• 数字控制：数控制晶振（DCXO）抖动滤除和故障保护功能

• 频率范围可调：VCXO、DCXO、VCTCXO系列具有频率可调功能， 频率牵引范围（±25ppm - ±1600ppm)

• 输出驱动：可设置驱动能力的大小

• 封装：行业标准2012、2016、2520、3225、5032、7050和超小型1508芯片级CSP封装以及独特的SOT23-5封装

• 工作温度范围：商业级，工业级，汽车级以及航天或军工级

• 输出：输出逻辑选项（单端TTL/COMS和差分LVDS/LVPECL）和输出使能、扩频、 关断、休眠控制模式

  
  

   
  

MEMS硅晶振的特点及性能优势

       以MEMS技术为核心的SiTime硅晶振，为系统运行的关键领域注入了卓越的性能。凭借其卓越的稳定性和可靠性，为各种应用场景提供了无可比拟的支持，确保系统在各种复杂环境中都能表现出色。

• 良好的频率温度稳定性

   SiTime提供0.1至5 ppm的频率稳定度的TCXOs（温补晶振）和XOs（单端晶振）。典型的石英晶振具有25至100ppm的稳定度。MEMS硅晶振内置温度补偿电路，使其在整个温度范围内，具有非常好的频率稳定性。

• 制造材料的不同

      我们的MEMS硅晶振是由硅制成的(石英晶振不是)。硅是一种纯净、坚固、可靠的材料，与石英晶振相比具有巨大的优势。硅的强度是钛的15倍。它使我们能够利用半导体行业的优势，如更高的质量，最新的封装创新，以及快速扩展和无需大量投资的能力。

• 低相位噪声和抖动

      SiTime硅晶振可以提供0.5PS（典型）和1 PS（最大）RMS相位抖动（12 kHz到20 MHz）。目前没有其它的MEMS硅晶振能够提供这种水平的性能。

• 卓越的可靠性

      SiTime的MEMS硅晶振是市场上最可靠的硅晶振。SiTime硅晶振的综合性能是其他硅晶振的两倍，是石英晶振的13至40倍。性能的可靠性，使得SiTime的MEMS硅晶振更适合用于恶劣的环境中。

• 便携性更强 

  MEMS硅晶振使笨重的石英晶振看起来像石器时代的东西。MEMS硅晶振本质上是小的——毕竟，MEMS代表微电子机械系统。我们的MEMS谐振器比石英谐振器小3000倍。我们是第一个使用芯片级封装(CSP)来计时的人，创造了一个微型硅芯片大小的振荡器，比针头还小。

  
  

• 低功耗

  MEMS硅晶振功耗很低。由于我们的部件高度稳定，系统可以在更长的时间内保持睡眠模式，消耗更少的电流。这意味着电池可以使用更长时间，无论是手机、智能手表还是桥梁上的传感器。