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差分晶振
汽车级晶振
温补晶振
恒温晶振
fs级低抖动
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MEMS硅晶振产品
可编程晶振空白片FP
FP空白片
单端有源
单端有源
1-220MHz任意频率可编程,可精确到小数点后6位
1-220MHz任意频率可编程,可精确到小数点后6位
差分晶振
差分晶振
1-725MHz任意频率可编程,LVDS/LVPECL/HCSL
1-725MHz任意频率可编程,LVDS/LVPECL/HCSL
宽温晶振
宽温晶振
1-137MHz任意频率可编程,抗冲击抗振动
1-137MHz任意频率可编程,抗冲击抗振动
压控晶振
压控晶振
1-220MHz任意频率可编程,最大可编程牵引范围±3200ppm
1-220MHz任意频率可编程,最大可编程牵引范围±3200ppm
扩频晶振
扩频晶振
1-220MHz任意频率可编程,多种可编程展频范围
1-220MHz任意频率可编程,多种可编程展频范围
便携式编程器
SiT6100DK
SiT6100DK
可编程晶振编程器套件,快速、灵活、方便、自由
可编程晶振编程器套件,快速、灵活、方便、自由
编程软件
软件下载
软件下载
支持10种产品系列,任意参数自由组合,完整型号自动生成
支持10种产品系列,任意参数自由组合,完整型号自动生成
MHz有源晶振
低功耗
SiT8008
SiT8008
1-110MHz任意频率,多种标准封装尺寸
1-110MHz任意频率,多种标准封装尺寸
SiT8009
SiT8009
115-137MHz任意频率,多种标准封装尺寸
115-137MHz任意频率,多种标准封装尺寸
SiT1602
SiT1602
支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
SiT8021
SiT8021
低功耗100uA,小尺寸1508,1-26MHz常规频率
低功耗100uA,小尺寸1508,1-26MHz常规频率
SiT2001
SiT2001
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
SiT2002
SiT2002
SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
低抖动
SiT8208
SiT8208
1-80MHz任意频率,可精确到小数点后六位
1-80MHz任意频率,可精确到小数点后六位
SiT8209
SiT8209
80-220MHz任意频率,可精确到小数点后六位
80-220MHz任意频率,可精确到小数点后六位
差分晶振
FPGA参考设计推荐
SiT9121
SiT9121
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
SiT9122
SiT9122
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式
SiT9120
SiT9120
支持25-221.5MHz之间常规频率 ,LVDS/LVPECL信号模式
支持25-221.5MHz之间常规频率 ,LVDS/LVPECL信号模式
SiT9102
SiT9102
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
低抖动0.3ps
SiT9366
SiT9366
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
SiT9367
SiT9367
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
SiT9365
SiT9365
支持25-325MHz之间常规频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
支持25-325MHz之间常规频率,HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
fs级低抖动
SiT9501
SiT9501
70fs超低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
70fs超低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
SiT9375
SiT9375
200fs低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
200fs低抖动,LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
汽车级晶振
单端
SiT8924
SiT8924
AEC-Q100认证,标准通用封装,1-110MHz任意频率
AEC-Q100认证,标准通用封装,1-110MHz任意频率
SiT8925
SiT8925
AEC-Q100认证,标准通用封装,115-137MHz任意频率
AEC-Q100认证,标准通用封装,115-137MHz任意频率
SiT2024
SiT2024
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,1-110MHz任意频率
SiT2025
SiT2025
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
AEC-Q100认证,SOT23-5封装,115-137MHz任意频率
差分
SiT9386
SiT9386
1-220MHz任意频率,AEC-Q100,汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
1-220MHz任意频率,AEC-Q100,汽车级差分晶振LVPECL/LVDS/HCSL
SiT9387
SiT9387
-40~105℃,220-725MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~105℃,220-725MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9396
SiT9396
-40~125℃,1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~125℃,1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9397
SiT9397
-40~125℃,220-920MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~125℃,220-920MHz任意频率,LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
抗冲击宽温晶振
-55℃~+125℃
SiT8920
SiT8920
1-110MHz任意频率,30000G抗冲击,坚不可摧,万无一失
1-110MHz任意频率,30000G抗冲击,坚不可摧,万无一失
SiT8921
SiT8921
119-137MHz任意频率,30000G抗冲击,标准通用封装
119-137MHz任意频率,30000G抗冲击,标准通用封装
SiT2020
SiT2020
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
SOT23-5封装,1-110MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
SiT2021
SiT2021
SOT23-5封装 ,119-137MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
SOT23-5封装 ,119-137MHz任意频率,30000G冲击和70G振动
-40℃~+125℃
SiT8918
SiT8918
标准通用封装 ,1-110MHz任意频率,抗冲击抗振动
标准通用封装 ,1-110MHz任意频率,抗冲击抗振动
SiT8919
SiT8919
标准通用封装 ,115-137MHz任意频率,耐环境压力变化
标准通用封装 ,115-137MHz任意频率,耐环境压力变化
SiT1618
SiT1618
标准通用封装 ,仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
标准通用封装 ,仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
SiT2018
SiT2018
SOT23-5封装 ,1-110MHz任意频率,在恶劣环境中更好的动态性能
SOT23-5封装 ,1-110MHz任意频率,在恶劣环境中更好的动态性能
SiT2019
SiT2019
SOT23-5封装 ,115-137MHz任意频率,<1 DPPM FIT
SOT23-5封装 ,115-137MHz任意频率,<1 DPPM FIT
压控晶振VCXO
单端
SiT3807
SiT3807
仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率,最大牵引范围±200ppm
仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率,最大牵引范围±200ppm
SiT3808
SiT3808
1-80MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
1-80MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
SiT3809
SiT3809
80-220MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
80-220MHz任意频率,±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
0.23ps低抖动差分
SiT3372
SiT3372
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
1-220MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
SiT3373
SiT3373
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
220-725MHz任意频率,HCSL/LVDS/LVPECL,最大±3200ppm牵引范围
低成本差分
SiT3821
SiT3821
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式,最大牵引范围±1600ppm
1-220MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号模式,最大牵引范围±1600ppm
SiT3822
SiT3822
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号,最大牵引范围±1600ppm
220-625MHz任意频率,LVDS/LVPECL信号,最大牵引范围±1600ppm
高精度温补晶振TCXO
±0.5ppm~2.5ppm
SiT5155
SiT5155
支持10-40MHz之间常用频率,抗冲击抗震动,RDSS/RNSS/GNSS
支持10-40MHz之间常用频率,抗冲击抗震动,RDSS/RNSS/GNSS
SiT5156
SiT5156
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5157
SiT5157
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
±0.1ppm~0.25ppm
SiT5356
SiT5356
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5357
SiT5357
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
60-220MHz任意频率,压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5501
SiT5501
1-60MHz任意频率,±0.01ppm高精度,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率,±0.01ppm高精度,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
±5ppm温补差分
SiT5021
SiT5021
1-220MHz任意频率, LVPECL/LVDS差分信号模式
1-220MHz任意频率, LVPECL/LVDS差分信号模式
SiT5022
SiT5022
220-625MHz任意频率,LVPECL/LVDS差分信号模式
220-625MHz任意频率,LVPECL/LVDS差分信号模式
恒温晶振OCXO
±5ppb OCXO
SiT5711
SiT5711
Stratum 3E高稳三级钟,方波、削峰正弦波可选,抗气流和热冲击
Stratum 3E高稳三级钟,方波、削峰正弦波可选,抗气流和热冲击
±5ppb DCOCXO
SiT5721
SiT5721
Stratum 3E高稳三级钟,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
Stratum 3E高稳三级钟,支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
低功耗小尺寸KHz
低功耗
SiT1532
SiT1532
低功耗小于1uA,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
低功耗小于1uA,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
SiT1533
SiT1533
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm
SiT1630
SiT1630
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
低功耗小于1uA,封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
高精度
SiT1552
SiT1552
高精度±5ppm,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
高精度±5ppm,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
SiT1576
SiT1576
1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO,封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
扩频晶振SSXO
单端
SiT9005
SiT9005
1-141MHz任意频率,EMI降低可达30 dB,小体积、多种展频范围可选
1-141MHz任意频率,EMI降低可达30 dB,小体积、多种展频范围可选
SiT9003
SiT9003
1-110MHz任意频率,低功耗,多种展频范围可选
1-110MHz任意频率,低功耗,多种展频范围可选
差分
SiT9002
SiT9002
1-220MHz任意频率, LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
1-220MHz任意频率, LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
网络同步/去抖时钟
高精度网络同步时钟
SiT95147
SiT95147
低抖动,8路输出MEMS网络同步器
低抖动,8路输出MEMS网络同步器
SiT95148
SiT95148
低抖动,11路输出MEMS网络同步器
低抖动,11路输出MEMS网络同步器
去抖时钟
SiT95145
SiT95145
低抖动,10路输出MEMS抖动清除器
低抖动,10路输出MEMS抖动清除器
时钟发生器
MEMS时钟发生器
SiT95141
SiT95141
低抖动,10路输出MEMS时钟发生器
低抖动,10路输出MEMS时钟发生器
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01月
19
2024
SiTime MEMS振荡器专业术语
05月
27
2022
一文读懂ADAS八大功能
我们都知道无人驾驶是汽车发展的未来。但是完全无人驾驶究竟何时才能实现,业界一直众说纷纭。然而在现实完全无人驾驶的道路上,高级驾驶辅助系统(ADAS)就成为了在现今技术及政策法规条件下的一个不错的选择。同时,很多ADAS功能已经大规模量产,不仅给汽车制造商提供更多差异化的产品设计选择,也为普通的消费者提供了更好的驾驶体验和安全保障。本文主要给大家重点介绍一下ADAS的八大功能系统。
05月
25
2022
正确认识差分晶振与普通晶振的区别
晶振,作为电子产品的心脏部分,为电路提供稳定、持续的时钟信号,我们可能并不陌生。但具体细分到普通晶振(单端)、差分晶振可能大家就有些分不清楚了。尤其是差分晶振。
05月
24
2022
什么是MEMS谐振器
我们所讲的硅晶振,主要是指MEMS硅晶振。是一种采用标准的半导体硅晶圆为原材料、利用MEMS谐振器(MEMS First)技术生产的晶振。MEMS谐振器工艺流程大概经过硅晶圆刻蚀、氧化物填充、真空谐振腔释放、谐振腔密封、电气导线链接等过程。
04月
29
2022
什么是恒温晶振(OCXO)?
恒温晶振(OCXO) 也叫恒温振荡器。这种器件具有很高的稳定性,通常优于±50ppb,甚至经常达到±5 至±20 ppb 之间。OCXO 将温度感知和补偿电路与晶体封装到一个受加热的金属盒中,创造出一个温度相对恒定的烘箱来实现高度的稳定性。双炉 OCXO(烘箱内另有一个烘箱)的稳定性可达到<±1ppb级别。
04月
28
2022
什么是压控晶振(VCXO)?
压控晶振(VCXO) 是一种压控振荡器,属于有源器件。通过电压控制 (VC),可以在一个称为牵引范围的特定范围内微调压控晶振频率输出。VCXO 通常用于电信、宽带、视频和仪器仪表的时钟同步。
04月
27
2022
什么是三级钟?
Bellcore GR-1288 定义了五个层级 (Stratum),不同性能水平的网络需要的参考时钟(同步网络时钟) 内在精度不同。级数越低,时钟越准确。
03月
29
2022
SiTime硅晶振供货是否受进出口管制影响
03月
09
2022
SiTime产品型号:关于B版本产品替代A版本说明
02月
16
2022
精度中的ppm代表什么?
ppm是一个单位,是英文parts per million 的缩写,表示百万分之(几),或称百万分率。 那在频率里代表什么呢?
02月
15
2022
什么是差分振荡器?
差分振荡器通常用于高性能系统如1 OG / 40G / 100G 的以太网中来提供高频信号( 100 MHz 或以上) 。相对于单端振荡器, 差分振荡器利用两个相位完全相反的信号, 消除了共模噪声, 从而产生更高的系统性能。差分振荡器用在高速系统中, 以确保在具有电源噪声和其它噪声源的情况下能够获得信号的最佳完整性和稳定性。
02月
14
2022
摩尔定律还在运行吗?
摩尔定律(Moore’s law)预测,集成电路(IC)中封装的晶体管数量将每两年翻一番,而计算成本将减半,这一预测具有显著的长期性。1965年,当英特尔联合创始人兼名誉主席戈登·摩尔(Gordon Moore)做出这一大胆的观察时,很少有人会想到,最先进的微芯片有一天会包含10亿个以上的电路。50多年来,由于电路不断缩小,计算设备一年又一年地稳步地变得更小、更快、更便宜。
02月
11
2022
晶振与PCB板不吻合的因素
为保证晶振的可靠性要求,应当规范应明确筛选和质量一致性检验的措施和方法。同时应按型号规定制定合格的石英晶振采购淸单。对于影响晶振的可靠性和质量的因素必须在采购清单中明确,如质量等级、环境条件、失效率、技术标准、封装形式、特殊要求(抗静电特性、温度范围等)、晶振厂家等。
02月
10
2022
有源晶振的4个特点
对于有源晶振来说,其具备的特征是比较明显的,它就是所谓的振荡器的全称,对于它的引脚配件来说,这里面是包括四个引脚,为此其内部结构是相对完整的,并且从它的名称上来看,其在进行震荡的时候是不需要借助外力的,由此是能够实现自动化地应用的目的。下面我们来一起了解一下它的特点吧!
02月
09
2022
晶振的温度特性
晶振所处的环境温度点、环境的温变速度、设备机箱的温度传递速度和晶振的特性是影响晶振漂移速度以及漂移量的主要因素。
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