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差分晶振
汽车级晶振
温补晶振
恒温晶振
fs级低抖动
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MEMS硅晶振产品
可编程晶振空白片FP
FP空白片
单端有源
单端有源
1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位
1-220MHz任意频率可编程，可精确到小数点后6位
差分晶振
差分晶振
1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL
1-725MHz任意频率可编程，LVDS/LVPECL/HCSL
宽温晶振
宽温晶振
1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动
1-137MHz任意频率可编程，抗冲击抗振动
压控晶振
压控晶振
1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm
1-220MHz任意频率可编程，最大可编程牵引范围±3200ppm
扩频晶振
扩频晶振
1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围
1-220MHz任意频率可编程，多种可编程展频范围
便携式编程器
SIT6100DK
SIT6100DK
可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由
可编程晶振编程器套件，快速、灵活、方便、自由
编程软件
软件下载
软件下载
支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成
支持10种产品系列，任意参数自由组合，完整型号自动生成
MHz有源晶振
低功耗
SiT8008
SiT8008
1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸
1-110MHz任意频率，多种标准封装尺寸
SiT8009
SiT8009
115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸
115-137MHz任意频率，多种标准封装尺寸
SiT1602
SiT1602
支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
支持3.57-77.76 MHz之间常用标准频率
SiT8021
SiT8021
低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率
低功耗100uA，小尺寸1508，1-26MHz常规频率
SiT2001
SiT2001
SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
SiT2002
SiT2002
SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
低抖动
SiT8208
SiT8208
1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位
1-80MHz任意频率，可精确到小数点后六位
SiT8209
SiT8209
80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位
80-220MHz任意频率，可精确到小数点后六位
差分晶振
FPGA参考设计推荐
SiT9121
SiT9121
1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
SiT9122
SiT9122
220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式
SiT9120
SiT9120
支持25-221.5MHz之间常规频率 ，LVDS/LVPECL信号模式
支持25-221.5MHz之间常规频率 ，LVDS/LVPECL信号模式
SiT9102
SiT9102
1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
低抖动0.3ps
SiT9366
SiT9366
1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
SiT9367
SiT9367
220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
SiT9365
SiT9365
支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
支持25-325MHz之间常规频率，HCSL/LVDS/LVPECL/信号模式
fs级低抖动
SiT9501
SiT9501
70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
70fs超低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
SiT9375
SiT9375
200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
200fs低抖动，LVDS/LVPECL/HCSL信号模式
汽车级晶振
单端
SiT8924
SiT8924
AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率
AEC-Q100认证，标准通用封装，1-110MHz任意频率
SiT8925
SiT8925
AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率
AEC-Q100认证，标准通用封装，115-137MHz任意频率
SiT2024
SiT2024
AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
AEC-Q100认证，SOT23-5封装，1-110MHz任意频率
SiT2025
SiT2025
AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
AEC-Q100认证，SOT23-5封装，115-137MHz任意频率
差分
SiT9386
SiT9386
-40~105℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~105℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9387
SiT9387
-40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~105℃，220-725MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9396
SiT9396
-40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~125℃，1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
SiT9397
SiT9397
-40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
-40~125℃，220-920MHz任意频率，LVDS/LVPECL/HCSL差分信号
抗冲击宽温晶振
-55℃~+125℃
SiT8920
SiT8920
1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失
1-110MHz任意频率，30000G抗冲击，坚不可摧，万无一失
SiT8921
SiT8921
119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装
119-137MHz任意频率，30000G抗冲击，标准通用封装
SiT2020
SiT2020
SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
SOT23-5封装，1-110MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
SiT2021
SiT2021
SOT23-5封装 ，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
SOT23-5封装 ，119-137MHz任意频率，30000G冲击和70G振动
-40℃~+125℃
SiT8918
SiT8918
标准通用封装 ，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动
标准通用封装 ，1-110MHz任意频率，抗冲击抗振动
SiT8919
SiT8919
标准通用封装 ，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化
标准通用封装 ，115-137MHz任意频率，耐环境压力变化
SiT1618
SiT1618
标准通用封装 ，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
标准通用封装 ，仅支持7.3728-48MHz之间常规频率
SiT2018
SiT2018
SOT23-5封装 ，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能
SOT23-5封装 ，1-110MHz任意频率，在恶劣环境中更好的动态性能
SiT2019
SiT2019
SOT23-5封装 ，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT
SOT23-5封装 ，115-137MHz任意频率，<1 DPPM FIT
压控晶振VCXO
单端
SiT3807
SiT3807
仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm
仅支持1.544-49.152MHz之间常用频率，最大牵引范围±200ppm
SiT3808
SiT3808
1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
1-80MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
SiT3809
SiT3809
80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
80-220MHz任意频率，±50ppm~±1600ppm牵引范围可选
0.23ps低抖动差分
SiT3372
SiT3372
1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
1-220MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
SiT3373
SiT3373
220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
220-725MHz任意频率，HCSL/LVDS/LVPECL，最大±3200ppm牵引范围
低成本差分
SiT3821
SiT3821
1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm
1-220MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号模式，最大牵引范围±1600ppm
SiT3822
SiT3822
220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm
220-625MHz任意频率，LVDS/LVPECL信号，最大牵引范围±1600ppm
高精度温补晶振TCXO
±0.5ppm~2.5ppm
SiT5155
SiT5155
支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS
支持10-40MHz之间常用频率，抗冲击抗震动，RDSS/RNSS/GNSS
SiT5156
SiT5156
1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5157
SiT5157
60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
±0.1ppm~0.25ppm
SiT5356
SiT5356
1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5357
SiT5357
60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
60-220MHz任意频率，压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
SiT5501
SiT5501
1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
1-60MHz任意频率，±0.01ppm高精度，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能可选
恒温晶振OCXO
±5ppb OCXO
SiT5711
SiT5711
Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击
Stratum 3E高稳三级钟，方波、削峰正弦波可选，抗气流和热冲击
±5ppb DCOCXO
SiT5721
SiT5721
Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
Stratum 3E高稳三级钟，支持压控、数控、方波、削峰正弦波多种功能
低功耗小尺寸KHz
低功耗
SiT1532
SiT1532
低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
低功耗小于1uA，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
SiT1533
SiT1533
低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm
低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm
SiT1630
SiT1630
低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
低功耗小于1uA，封装尺寸2.0mm*1.2mm、SOT23-5
高精度
SiT1552
SiT1552
高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
高精度±5ppm，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
SiT1576
SiT1576
1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
1Hz-2.5MHz低功耗高精度TCXO，封装尺寸1.5mm*0.8mm CSP
扩频晶振SSXO
单端
SiT9005
SiT9005
1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选
1-141MHz任意频率，EMI降低可达30 dB，小体积、多种展频范围可选
SiT9003
SiT9003
1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选
1-110MHz任意频率，低功耗，多种展频范围可选
差分
SiT9002
SiT9002
1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
1-220MHz任意频率， LVDS/HCSL/CML/LVPECL信号模式
网络同步/去抖时钟
去抖时钟
SiT95145
SiT95145
低抖动，10路输出MEMS抖动清除器
低抖动，10路输出MEMS抖动清除器
高精度网络同步时钟
SiT95147
SiT95147
低抖动，8路输出MEMS网络同步器
低抖动，8路输出MEMS网络同步器
SiT95148
SiT95148
低抖动，11路输出MEMS网络同步器
低抖动，11路输出MEMS网络同步器
时钟发生器
MEMS时钟发生器
SiT95141
SiT95141
低抖动，10路输出MEMS时钟发生器
低抖动，10路输出MEMS时钟发生器
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MEMS硅晶振百科
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11月
11
2021
使用MEMS振荡器代替晶体谐振器的 8 大理由
每个电子系统都需要一个计时装置。 晶体 (XTAL) 谐振器通常是首选解决方案。 然而，与 XTAL 相比，将谐振器与振荡器 IC 配对成一个完整的集成计时器件的振荡器具有多项优势。 MEMS振荡器进一步扩展了这些优势。 系统设计人员不再需要解决 XTAL 的局限性，也不再需要接受使用晶体进行设计的麻烦和风险。
11月
10
2021
MEMS硅晶振与石英晶振的电磁敏感性比较
电源、电源线、闪电、计算机设备和电子元件都是可能影响电子元件性能的电磁干扰 (EMI) 的潜在来源。 EMI 可以通过单个系统中的电气通路从一个组件传导到另一个组件，也可以通过无线电波传输。需要通过 RF 进行通信的设备会有意发射可能干扰其他设备的电磁信号，但即使不是设计为发射电磁信号的设备也可能无意中产生 EMI 噪声。 FCC 法规限制了某些类别的设备（例如计算设备和微波炉）的允许发射，但这并不能保证电子元件不会被消费产品的 EMI 损坏。几乎每个电子设备或组件都能够产生 EMI，并且将 EMI 暴露视为电路设计的一部分非常重要，因为它会对包括计时设备在内的电子组件造成损害。 存在外部 EMI 源时，振荡器的相位噪声和相位抖动可能会大幅增加。 可以通过板级屏蔽或滤波来减少到达振荡器的 EMI，但这种方法并不总是成功的。 通过评估各种振荡器的电磁敏感性 (EMS)，我们可以确定影响 EMS 的因素，并了解正确的振荡器设计如何最大限度地减少 EMI 对时钟性能的不利影响。
11月
09
2021
SiTime MEMS硅晶振和石英振荡器的冲击和振动性能比较
所有电子产品在其使用寿命期间都会受到冲击和振动。 力的范围可以从口袋或背包中携带的移动消费产品所经历的运动到工业设备或航空航天应用的高振动水平。 即使是建筑物中的固定产品也可能会受到附近风扇或其他设备的振动。 因此，重要的是要考虑电子元件在存在冲击和振动的情况下的性能。
09月
23
2021
MEMS硅晶振与石英晶振的区别
MEMS硅晶振与石英晶振的区别
05月
06
2016
MEMS领域技术专长
作为一家全球性的模拟半导体公司，SiTime具有业界开发最创新的时钟解决方案的技术和能力。SiTime将专业、全面的模拟电路知识与几十年MEMS（微机电系统）的研究和设计经验结合在一起，使MEMS硅晶振具有最佳性能和可靠性，而且在整个时钟行业成本最低。
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