MEMS振荡器内部架构


      MEMS振荡器包含一个MEMS谐振器和一个可编程的振荡电路。通过芯片堆叠和倒装处理把两者结合在一块,最后进行工业级塑料封装或芯片封装。



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MEMS振荡器中的TempFlat技术


如图所示,MEMS谐振器与模拟震荡电路中MEMS特定的电路模块相连接,通过静电力激振。MEMS偏压源为装在MEMS芯片上的静电传感器提供偏压,谐振器的谐振电路使其产生机械振动。
在模拟振荡电路中通过分数分频锁相环电路来输出频率。在大多数系列中,频率输出驱动器可根据传输线的阻抗调整输出强度以降低系统EMI。芯片上的非易失性编程存储器用于存储配置参数。

SiTime公司最新推出的TempFlat™ MEMS技术在SiT15xx 32 kHz 系列中首次被应用,使其大大减少了对温度补偿电路的需求。实现了模拟振荡电路的最优化,系统尺寸的最小化以及功耗的最低化。在其他一些MEMS振荡器系列中,用来温度补偿的功能模块已完全被移除(如上图所示)。针对精度要求< ±25 PPM的应用需求,SiTime推出超性能 XOs、XOs、VCXOs和TCXOs振荡器,增加了温度传感器和温度-数字转换器(如下图所示),采用分数分频锁相环技术,最终实现温度补偿。


Temp-Compensation-architecture

MEMS振荡器中的温度补偿技术



单芯片MEMS振荡器 


SiTime公司早在2007年就向业界证明了单芯片MEMS解决方案的强大。

然而百尺竿头更进一步,SiTime又推出双芯片MEMS+模拟电路的解决方案,优势更为明显:


. 更优化的工艺提供更高的性能和更卓越的可靠性
. MEMS芯片比模拟芯片要小的多,原材料硅的利用率提高,生产成本大大降低
. 国际标准工艺及设备,缩短供货周期

约2.5亿片以上器件的发货量,占有80%的市场份额
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