MEMS振荡器内部架构

MEMS振荡器中的TempFlat技术

如图所示，MEMS谐振器与模拟震荡电路中MEMS特定的电路模块相连接，通过静电力激振。MEMS偏压源为装在MEMS芯片上的静电传感器提供偏压，谐振器的谐振电路使其产生机械振动。
在模拟振荡电路中通过分数分频锁相环电路来输出频率。在大多数系列中，频率输出驱动器可根据传输线的阻抗调整输出强度以降低系统EMI。芯片上的非易失性编程存储器用于存储配置参数。

SiTime公司最新推出的TempFlat™ MEMS技术在SiT15xx 32 kHz 系列中首次被应用，使其大大减少了对温度补偿电路的需求。实现了模拟振荡电路的最优化，系统尺寸的最小化以及功耗的最低化。在其他一些MEMS振荡器系列中，用来温度补偿的功能模块已完全被移除（如上图所示）。针对精度要求< ±25 PPM的应用需求，SiTime推出超性能 XOs、XOs、VCXOs和TCXOs振荡器，增加了温度传感器和温度-数字转换器（如下图所示），采用分数分频锁相环技术，最终实现温度补偿。

MEMS振荡器中的温度补偿技术

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